La differenza principale tra lo sputtering e la deposizione laser pulsata (PLD) risiede nel metodo di trasferimento del materiale dal target al substrato. Lo sputtering prevede l'uso di ioni ad alta energia per eliminare gli atomi da un materiale bersaglio, che poi si depositano su un substrato. Il PLD, invece, utilizza un impulso laser ad alta energia per ablare il materiale da un bersaglio, che poi si condensa su un substrato.
Sputtering:
Nello sputtering, il processo inizia con la generazione di ioni, in genere dal gas argon, che vengono poi diretti verso un materiale bersaglio. L'impatto di questi ioni ad alta energia provoca l'espulsione o la "polverizzazione" degli atomi dal bersaglio. Gli atomi sputati attraversano una regione a pressione ridotta e alla fine si condensano su un substrato, formando un film sottile. Lo sputtering è vantaggioso per la sua capacità di depositare uno spessore uniforme su grandi aree e per la facilità di controllare lo spessore del film regolando i parametri operativi e il tempo di deposizione.Deposizione laser pulsata (PLD)
:La PLD, invece, prevede l'uso di un raggio laser pulsato ad alta intensità focalizzato su un materiale bersaglio. L'intensa energia dell'impulso laser provoca la vaporizzazione di una piccola porzione del target, creando un pennacchio di materiale che comprende atomi, molecole e cluster. Questo pennacchio viaggia direttamente verso il substrato, dove si condensa e forma un film. La PLD è particolarmente utile per depositare materiali complessi con un'elevata fedeltà, poiché il processo di ablazione può trasferire la stechiometria del materiale target al film depositato.
Confronto e applicazioni
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