La deposizione di polisilicio LPCVD è un processo critico nella produzione di semiconduttori.
La comprensione dell'intervallo di temperatura è essenziale per ottenere le proprietà desiderate del film.
5 punti chiave da conoscere sulla temperatura del polisilicio LPCVD
1. Intervallo di temperatura standard
L'intervallo di temperatura tipico per la deposizione di polisilicio LPCVD è compreso tra 600 e 650 gradi Celsius.
2. Variabilità della temperatura
I processi LPCVD possono essere eseguiti a temperature fino a 425 gradi Celsius o fino a 900 gradi Celsius, a seconda dell'applicazione specifica e delle proprietà desiderate del film.
3. Tasso di crescita
La velocità di crescita del polisilicio durante il processo LPCVD è compresa tra 10 e 20 nm al minuto a temperature comprese tra 600 e 650 gradi Celsius e pressioni tra 25 e 150 Pa.
4. Influenza dei gas
L'uso di gas diversi, come fosfina, arsina o diborano, può influenzare la velocità di crescita e le proprietà del film di polisilicio depositato.
5. Caratteristiche del film
I film di polisilicio LPCVD hanno un contenuto di idrogeno più elevato e possono contenere fori di spillo rispetto ai film depositati con altri metodi come PECVD.
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