I materiali depositati in PECVD includono una varietà di elementi e composti, come il carbonio sotto forma di diamante e film simili al diamante, metalli, ossidi, nitruri e boruri. I film comunemente depositati sono polisilicio, ossidi drogati e non drogati e nitruri.
Sintesi:
La PECVD è una tecnica di deposizione a bassa temperatura che utilizza il plasma per migliorare il processo di deposizione. È in grado di depositare un'ampia gamma di materiali, tra cui film a base di silicio, carbonio simile al diamante e vari composti metallici.
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Spiegazione dettagliata:
- Film a base di silicio:Polisilicio:
- Utilizzato nei dispositivi a semiconduttore, il polisilicio viene depositato mediante PECVD a basse temperature, fattore cruciale per mantenere l'integrità del substrato.Ossido di silicio e nitruro di silicio:
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Questi materiali sono comunemente utilizzati come isolanti e strati di passivazione nei dispositivi microelettronici. La PECVD consente la loro deposizione a temperature inferiori a 400°C, a tutto vantaggio dei substrati sensibili alla temperatura.
- Carbonio simile al diamante (DLC):
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Il DLC è una forma di carbonio amorfo con una notevole durezza e viene utilizzato in applicazioni che richiedono un'elevata resistenza all'usura e un basso attrito. La PECVD è efficace per depositare DLC grazie alla sua capacità di gestire prodotti chimici complessi a basse temperature.
- Composti metallici:Ossidi, nitruri e boruri:
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Questi materiali sono utilizzati in varie applicazioni, tra cui rivestimenti duri, isolanti elettrici e barriere di diffusione. La capacità della PECVD di depositare questi materiali a basse temperature la rende adatta a un'ampia gamma di substrati.
- Applicazioni:
I film PECVD sono parte integrante di molti dispositivi e servono come incapsulanti, strati di passivazione, maschere rigide e isolanti. Sono utilizzati anche nei rivestimenti ottici, nella sintonizzazione dei filtri RF e come strati sacrificali nei dispositivi MEMS.Correzione e revisione:
