Prodotti Apparecchiature termiche Forno CVD e PECVD Sistema di Apparecchiature per la Deposizione Chimica da Vapore CVD Camera a Scorrimento Forno a Tubo PECVD con Gassificatore di Liquidi Macchina PECVD
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Sistema di Apparecchiature per la Deposizione Chimica da Vapore CVD Camera a Scorrimento Forno a Tubo PECVD con Gassificatore di Liquidi Macchina PECVD

Forno CVD e PECVD

Sistema di Apparecchiature per la Deposizione Chimica da Vapore CVD Camera a Scorrimento Forno a Tubo PECVD con Gassificatore di Liquidi Macchina PECVD

Numero articolo : KT-PE12

Il prezzo varia in base a specifiche e personalizzazioni


Temperatura massima
1200 ℃
Temperatura di lavoro costante
1100 ℃
Diametro del tubo del forno
60 mm
Lunghezza della zona di riscaldamento
1x450 mm
Velocità di riscaldamento
0-20 ℃/min
Distanza di scorrimento
600mm
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Introduzione

Il forno a tubo PECVD a scorrimento con gassificatore di liquidi è un sistema versatile e ad alte prestazioni progettato per un'ampia gamma di applicazioni di deposizione di film sottili. Dispone di una sorgente di plasma RF da 500W, un forno a scorrimento, un controllo preciso del flusso di gas e una stazione per il vuoto. Il sistema offre vantaggi quali l'adattamento automatico del plasma, il riscaldamento e il raffreddamento ad alta velocità, il controllo della temperatura programmabile e un'interfaccia intuitiva. È ampiamente utilizzato in ambienti di ricerca e produzione per la deposizione di film sottili in vari settori, tra cui l'elettronica, i semiconduttori e l'ottica.

Applicazioni

Il forno a tubo PECVD a scorrimento con gassificatore di liquidi trova applicazione in:

  • Deposizione chimica da vapore (CVD)
  • Deposizione chimica da vapore assistita da plasma (PECVD)
  • Deposizione di film sottili
  • Fabbricazione di celle solari
  • Lavorazione di semiconduttori
  • Nanotecnologia
  • Scienza dei materiali
  • Ricerca e sviluppo

Diversi sistemi CVD con temperature e configurazioni disponibili

PECVD front

PECVD side

PECVD side

PECVD local

PECVD local

Principio

Il forno a tubo PECVD a scorrimento con gassificatore di liquidi utilizza plasma a bassa temperatura per generare una scarica a bagliore nel catodo della camera di processo (vassoio campioni). La scarica a bagliore (o un'altra fonte di calore) innalza la temperatura del campione a un livello predeterminato. Quindi, vengono introdotte quantità controllate di gas di processo, che subiscono reazioni chimiche e plasmatiche per formare un film solido sulla superficie del campione.

Caratteristiche

Il forno a tubo PECVD a scorrimento con gassificatore di liquidi offre numerosi vantaggi agli utenti:

  • Migliore generazione di energia per wafer di celle solari: L'innovativa struttura della navicella in grafite migliora significativamente la potenza in uscita delle celle solari.
  • Eliminazione della differenza di colore nelle celle PECVD tubolari: Questa apparecchiatura affronta efficacemente il problema della variazione di colore nelle celle PECVD tubolari.
  • Ampia gamma di potenza in uscita (5-500W): La sorgente di adattamento automatico del plasma RF fornisce una gamma versatile di potenza in uscita, garantendo prestazioni ottimali per varie applicazioni.
  • Riscaldamento e raffreddamento ad alta velocità: Il sistema di scorrimento della camera del forno consente un riscaldamento e un raffreddamento rapidi, riducendo i tempi di lavorazione. La circolazione forzata dell'aria ausiliaria accelera ulteriormente la velocità di raffreddamento.
  • Movimento di scorrimento automatizzato: La funzione opzionale di movimento a scorrimento consente il funzionamento automatico, migliorando l'efficienza e riducendo l'intervento manuale.
  • Controllo preciso della temperatura: Il controllo della temperatura programmabile PID garantisce una regolazione accurata della temperatura, supportando il controllo remoto e centralizzato per una maggiore comodità.
  • Controllo del flussimetro di massa MFC ad alta precisione: Il flussimetro di massa MFC controlla con precisione i gas sorgente, garantendo una fornitura di gas stabile e costante.
  • Stazione per il vuoto versatile: La flangia per il vuoto in acciaio inossidabile con porte di adattamento multiple accoglie varie configurazioni di stazioni di pompaggio per il vuoto, garantendo un elevato grado di vuoto.
  • Interfaccia intuitiva: Il controller touch screen TFT da 7 pollici CTF Pro semplifica l'impostazione del programma e consente una facile analisi dei dati storici.

Vantaggi

  • Sorgente di adattamento automatico del plasma RF, ampia gamma di potenza in uscita 5-500W con uscita stabile
  • Sistema di scorrimento della camera del forno per riscaldamento ad alta velocità e raffreddamento in tempi brevi, sono disponibili raffreddamento rapido ausiliario e movimento di scorrimento automatico
  • Controllo della temperatura programmabile PID, eccellente precisione di controllo e supporto per controllo remoto e controllo centralizzato
  • Controllo del flussimetro di massa MFC ad alta precisione, premiscelazione dei gas sorgente e velocità di alimentazione del gas stabile
  • Flangia per il vuoto in acciaio inossidabile con varie porte di adattamento per soddisfare diverse configurazioni di stazioni di pompaggio per il vuoto, buona tenuta ed elevato grado di vuoto
  • CTF Pro applica un controller touch screen TFT da 7 pollici, impostazione del programma più intuitiva e analisi dei dati storici

Vantaggi per la Sicurezza

  • Il forno a tubo Kindle Tech possiede una protezione da sovracorrente e una funzione di allarme per sovratemperatura, il forno spegnerà automaticamente l'alimentazione
  • Funzione di rilevamento termocoppia integrata nel forno, il forno smetterà di riscaldare e l'allarme si attiverà in caso di rottura o guasto rilevato
  • PE Pro supporta la funzione di riavvio in caso di interruzione di corrente, il forno riprenderà il programma di riscaldamento quando la corrente ritorna dopo un guasto

Specifiche tecniche

Modello forno KT-PE12-60
Temperatura max. 1200℃
Temperatura di lavoro costante 1100℃
Materiale tubo del forno Quarzo ad alta purezza
Diametro tubo del forno 60mm
Lunghezza zona di riscaldamento 1x450mm
Materiale camera Fibra di allumina giapponese
Elemento riscaldante Bobina di filo Cr2Al2Mo2
Velocità di riscaldamento 0-20℃/min
Termocoppia Tipo K integrata
Regolatore di temperatura Regolatore PID digitale/Regolatore PID touch screen
Precisione controllo temperatura ±1℃
Distanza di scorrimento 600mm
Unità Plasma RF
Potenza in uscita 5 -500W regolabile con stabilità ± 1%
Frequenza RF 13,56 MHz stabilità ±0,005%
Potenza di riflessione 350W max.
Adattamento Automatico
Rumore <50 dB
Raffreddamento Raffreddamento ad aria.
Unità di controllo preciso del gas
Flussimetro Flussimetro di massa MFC
Canali gas 4 canali
Portata MFC1: 0-5SCCM O2
MFC2: 0-20SCMCH4
MFC3: 0- 100SCCM H2
MFC4: 0-500 SCCM N2
Linearità ±0,5% F.S.
Ripetibilità ±0,2% F.S.
Tubazione e valvola Acciaio inossidabile
Pressione massima di esercizio 0,45MPa
Controller flussimetro Controller a manopola digitale/Controller touch screen
Unità per vuoto standard (Opzionale)
Pompa a vuoto Pompa a vuoto rotativa a palette
Portata pompa 4L/S
Porta di aspirazione vuoto KF25
Vacuometro Vacuometro Pirani/Resistenza al silicio
Pressione di vuoto nominale 10Pa
Unità per alto vuoto (Opzionale)
Pompa a vuoto Pompa rotativa a palette + Pompa molecolare
Portata pompa 4L/S+110L/S
Porta di aspirazione vuoto KF25
Vacuometro Vacuometro composto
Pressione di vuoto nominale 6x10-4Pa
Le specifiche e le configurazioni sopra indicate possono essere personalizzate

Pacchetto Standard

N. Descrizione Quantità
1 Forno 1
2 Tubo di quarzo 1
3 Flangia per vuoto 2
4 Blocco termico del tubo 2
5 Gancio per blocco termico del tubo 1
6 Guanto resistente al calore 1
7 Sorgente di plasma RF 1
8 Controllo preciso del gas 1
9 Unità per vuoto 1
10 Manuale operativo 1

Configurazione Opzionale

  • Rilevamento e monitoraggio dei gas nel tubo, come H2, O2 e così via
  • Monitoraggio e registrazione indipendenti della temperatura del forno
  • Porta di comunicazione RS 485 per controllo remoto da PC ed esportazione dati
  • Controllo della portata di alimentazione dei gas di inserimento, come flussimetro di massa e flussimetro a galleggiante
  • Regolatore di temperatura touch screen con versatili funzioni intuitive per l'operatore
  • Configurazioni di stazioni di pompaggio per alto vuoto, come pompa a vuoto a palette, pompa molecolare, pompa a diffusione

Avvertenze

La sicurezza dell'operatore è la questione più importante! Si prega di utilizzare l'apparecchiatura con cautele. Lavorare con gas infiammabili, esplosivi o tossici è molto complicato pericoloso, gli operatori devono prendere tutte le precauzioni necessarie prima di avviare il attrezzatura. Lavorare con pressione positiva all'interno dei reattori o delle camere lo è pericoloso, l'operatore deve rispettare rigorosamente le procedure di sicurezza. Extra è necessario prestare attenzione anche quando si opera con materiali reattivi all'aria, soprattutto sotto vuoto. Una perdita può far entrare aria nell'apparecchio e causare a si verifichi una reazione violenta.

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FAQ

Che Cos'è Il Metodo PECVD?

La PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) è un processo utilizzato nella produzione di semiconduttori per depositare film sottili su dispositivi microelettronici, celle fotovoltaiche e pannelli di visualizzazione. Nella PECVD, un precursore viene introdotto nella camera di reazione allo stato gassoso e l'assistenza di mezzi reattivi al plasma dissocia il precursore a temperature molto più basse rispetto alla CVD. I sistemi PECVD offrono un'eccellente uniformità del film, un processo a bassa temperatura e un'elevata produttività. Sono utilizzati in un'ampia gamma di applicazioni e svolgeranno un ruolo sempre più importante nell'industria dei semiconduttori con la continua crescita della domanda di dispositivi elettronici avanzati.

Che Cos'è L'Mpcvd?

MPCVD è l'acronimo di Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition ed è un processo di deposito di film sottili su una superficie. Utilizza una camera a vuoto, un generatore di microonde e un sistema di erogazione di gas per creare un plasma composto da sostanze chimiche che reagiscono e dai catalizzatori necessari. L'MPCVD è molto utilizzato nella rete ANFF per depositare strati di diamante utilizzando metano e idrogeno per far crescere nuovo diamante su un substrato con seme di diamante. Si tratta di una tecnologia promettente per la produzione di diamanti di grandi dimensioni a basso costo e di alta qualità ed è ampiamente utilizzata nell'industria dei semiconduttori e del taglio dei diamanti.

A Cosa Serve La PECVD?

Il metodo PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) è ampiamente utilizzato nell'industria dei semiconduttori per la fabbricazione di circuiti integrati e nei settori fotovoltaico, tribologico, ottico e biomedico. Viene utilizzata per depositare film sottili per dispositivi microelettronici, celle fotovoltaiche e pannelli di visualizzazione. La PECVD può produrre composti e film unici che non possono essere creati solo con le comuni tecniche CVD e film che dimostrano un'elevata resistenza ai solventi e alla corrosione e una stabilità chimica e termica. Viene inoltre utilizzata per produrre polimeri organici e inorganici omogenei su ampie superfici e carbonio simile al diamante (DLC) per applicazioni tribologiche.

Che Cos'è La Macchina Mpcvd?

La macchina MPCVD (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition) è un'apparecchiatura di laboratorio utilizzata per la produzione di film di diamante di alta qualità. Utilizza un gas contenente carbonio e un plasma a microonde per creare una sfera di plasma sopra il substrato di diamante, che lo riscalda a una temperatura specifica. La sfera di plasma non entra in contatto con la parete della cavità, rendendo il processo di crescita del diamante privo di impurità e migliorando la qualità del diamante. Il sistema MPCVD è composto da una camera a vuoto, un generatore di microonde e un sistema di erogazione del gas che controlla il flusso di gas nella camera.

Quali Sono I Vantaggi Della PECVD?

I vantaggi principali della PECVD sono la capacità di operare a temperature di deposizione più basse, garantendo una migliore conformità e una copertura a gradini su superfici irregolari, un controllo più stretto del processo di film sottile e tassi di deposizione elevati. La PECVD consente applicazioni di successo in situazioni in cui le temperature CVD convenzionali potrebbero potenzialmente danneggiare il dispositivo o il substrato da rivestire. Operando a una temperatura più bassa, la PECVD crea meno stress tra gli strati di film sottile, consentendo prestazioni elettriche ad alta efficienza e incollaggi secondo standard molto elevati.

Quali Sono I Vantaggi Dell'Mpcvd?

L'MPCVD presenta diversi vantaggi rispetto ad altri metodi di produzione dei diamanti, come una maggiore purezza, un minore consumo energetico e la possibilità di produrre diamanti più grandi.

Qual è La Differenza Tra ALD E PECVD?

L'ALD è un processo di deposizione di film sottili che consente una risoluzione atomica dello spessore dello strato, un'eccellente uniformità delle superfici ad alto rapporto d'aspetto e strati privi di fori. Ciò si ottiene grazie alla formazione continua di strati atomici in una reazione autolimitante. La PECVD, invece, prevede la miscelazione del materiale di partenza con uno o più precursori volatili, utilizzando un plasma per interagire chimicamente e scomporre il materiale di partenza. I processi utilizzano il calore con pressioni più elevate, che portano a un film più riproducibile in cui lo spessore del film può essere gestito in base al tempo/alla potenza. Questi film sono più stechiometrici, più densi e sono in grado di produrre film isolanti di qualità superiore.

I Diamanti CVD Sono Veri O Falsi?

I diamanti CVD sono diamanti veri e non falsi. Vengono coltivati in laboratorio attraverso un processo chiamato Chemical Vapor Deposition (CVD). A differenza dei diamanti naturali, che vengono estratti dal sottosuolo, i diamanti CVD vengono creati in laboratorio con tecnologie avanzate. Questi diamanti sono composti al 100% da carbonio e rappresentano la forma più pura di diamante, nota come diamante di tipo IIa. Hanno le stesse proprietà ottiche, termiche, fisiche e chimiche dei diamanti naturali. L'unica differenza è che i diamanti CVD vengono creati in laboratorio e non estratti dalla terra.

Qual è La Differenza Tra PECVD E Sputtering?

PECVD e sputtering sono entrambe tecniche di deposizione fisica da vapore utilizzate per la deposizione di film sottili. La PECVD è un processo diffusivo guidato da gas che produce film sottili di alta qualità, mentre lo sputtering è un processo di deposizione a vista. La PECVD consente una migliore copertura su superfici irregolari come trincee, pareti e un'elevata conformità e può produrre composti e film unici. D'altra parte, lo sputtering è ottimo per la deposizione di strati sottili di diversi materiali, ideale per creare sistemi di rivestimento multistrato e multigraduato. La PECVD è utilizzata principalmente nell'industria dei semiconduttori, nei settori tribologico, ottico e biomedico, mentre lo sputtering è utilizzato soprattutto per i materiali dielettrici e le applicazioni tribologiche.
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Scheda Tecnica del Prodotto

Sistema di Apparecchiature per la Deposizione Chimica da Vapore CVD Camera a Scorrimento Forno a Tubo PECVD con Gassificatore di Liquidi Macchina PECVD

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Forno Cvd E Pecvd


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