Forno CVD e PECVD
Macchina per forno tubolare rotante inclinato per la deposizione chimica potenziata al plasma (PECVD)
Numero articolo : KT-PE16
Il prezzo varia in base a specifiche e personalizzazioni
- Temperatura massima
- 1600 ℃
- Temperatura di lavoro costante
- 1550 ℃
- Diametro del tubo del forno
- 60 mm
- Lunghezza zona di riscaldamento
- 2x300 mm
- Velocità di riscaldamento
- 0-10 ℃/min
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KT-PE16 Forno PECVD rotativo inclinato Il forno PECVD è composto da una sorgente di plasma RF da 500 W, un forno tubolare TF-1200 a due zone, 4 unità di controllo di precisione del gas MFC e una stazione di vuoto standard. La temperatura massima di lavoro del forno è di 1600℃. La temperatura di lavoro del forno è fino a 1600℃, il tubo del forno è un tubo ceramico in Al2O2 di 60 mm di diametro; misuratore di flusso di massa MFC a 4 canali con fonti di gas CH4, H2, O2 e N2; la stazione del vuoto è una pompa da vuoto rotativa a palette da 4L/S, la pressione massima del vuoto è di 10Pa. La pressione del vuoto è fino a 10Pa
Vantaggi
- Sorgente di plasma RF ad accoppiamento automatico, ampia gamma di potenza di uscita 5-500W, uscita stabile
- Sistema di scorrimento della camera del forno per il riscaldamento ad alta velocità e il raffreddamento in tempi brevi; sono disponibili il raffreddamento rapido ausiliario e il movimento di scorrimento automatico.
- Controllo della temperatura programmabile PID, eccellente precisione di controllo e supporto del controllo remoto e del controllo centralizzato
- Controllo del flussimetro di massa MFC ad alta precisione, premiscelazione dei gas di origine e velocità di alimentazione del gas stabile
- Flangia per vuoto in acciaio inox con varie porte di adattamento per soddisfare le diverse configurazioni della stazione di pompaggio a vuoto, buona tenuta e alto grado di vuoto
- CTF Pro applica un controller touch screen TFT da 7 pollici, per un'impostazione più semplice dei programmi e un'analisi dei dati storici.
Vantaggi per la sicurezza
- Il forno a tubi Kindle Tech possiede una protezione da sovracorrente e una funzione di allarme da sovratemperatura; il forno spegnerà automaticamente l'alimentazione.
- La costruzione della fornace nella funzione di rilevamento della coppia termica, la fornace smetterà di riscaldare e l'allarme sarà acceso una volta rotto o rilevato il fallimento
- PE Pro supporta la funzione di riavvio dell'interruzione di corrente, la fornace riprenderà il programma di riscaldamento della fornace quando il potere è in arrivo dopo il fallimento
Specifiche tecniche
| Modello di forno | PE-1600-60 |
| Temperatura massima | 1600℃ |
| Temperatura di lavoro costante | 1550℃ |
| Materiale del tubo del forno | Tubo Al2O3 di elevata purezza |
| Diametro del tubo del forno | 60 mm |
| Lunghezza della zona di riscaldamento | 2x300mm |
| Materiale della camera | Fibra di allumina del Giappone |
| Elemento di riscaldamento | Disiliciuro di molibdeno |
| Velocità di riscaldamento | 0-10℃/min |
| Coppia termica | Tipo B |
| Regolatore di temperatura | Controllore PID digitale/controllore PID touch screen |
| Precisione del controllo della temperatura | ±1℃ |
| Unità al plasma RF | |
| Potenza di uscita | 5 -500W regolabile con una stabilità di ± 1% |
| Frequenza RF | 13,56 MHz ±0,005% di stabilità |
| Potenza di riflessione | 350W max. |
| Corrispondenza | Automatico |
| Rumore | <50 dB |
| Raffreddamento | Raffreddamento ad aria. |
| Unità di controllo precisa del gas | |
| Misuratore di portata | Misuratore di portata massica MFC |
| Canali del gas | 4 canali |
| Portata | MFC1: 0-5SCCM O2 MFC2: 0-20SCMCH4 MFC3: 0-100 SCCM H2 MFC4: 0-500 SCCM N2 |
| Linearità | ±0,5% F.S. |
| Ripetibilità | ±0,2% F.S. |
| Linea di tubi e valvola | Acciaio inossidabile |
| Pressione massima di esercizio | 0,45MPa |
| Controllore del flussometro | Controllore digitale a manopola/controller a schermo tattile |
| Unità di vuoto standard (opzionale) | |
| Pompa per vuoto | Pompa per vuoto rotativa a palette |
| Portata della pompa | 4L/S |
| Porta di aspirazione del vuoto | KF25 |
| Vacuometro | Vacuometro Pirani/Resistenza al silicone |
| Pressione nominale del vuoto | 10Pa |
| Unità per alto vuoto (opzionale) | |
| Pompa per vuoto | Pompa rotativa a palette+pompa molecolare |
| Portata della pompa | 4L/S+110L/S |
| Porta di aspirazione del vuoto | KF25 |
| Vacuometro | Vacuometro composto |
| Pressione nominale del vuoto | 6x10-5Pa |
| Le specifiche e le configurazioni di cui sopra possono essere personalizzate | |
Pacchetto standard
| No. | Descrizione | Quantità |
| 1 | Forno | 1 |
| 2 | Tubo di quarzo | 1 |
| 3 | Flangia per il vuoto | 2 |
| 4 | Blocco termico del tubo | 2 |
| 5 | Gancio del blocco termico a tubo | 1 |
| 6 | Guanto resistente al calore | 1 |
| 7 | Sorgente di plasma RF | 1 |
| 8 | Controllo preciso del gas | 1 |
| 9 | Unità per il vuoto | 1 |
| 10 | Manuale operativo | 1 |
Configurazione opzionale
- Rilevamento e monitoraggio dei gas in tubo, come H2, O2 e così via
- Monitoraggio e registrazione indipendente della temperatura del forno
- Porta di comunicazione RS 485 per il controllo remoto del PC e l'esportazione dei dati
- Controllo della portata di alimentazione dei gas inseriti, come flussimetro di massa e flussimetro a galleggiante
- Controllore di temperatura touch screen con funzioni versatili e di facile utilizzo per l'operatore
- Configurazione della stazione di pompaggio ad alto vuoto, come pompa a vuoto a palette, pompa molecolare, pompa a diffusione
Avvertenze
La sicurezza dell'operatore è la questione più importante! Si prega di utilizzare l'apparecchiatura con cautele. Lavorare con gas infiammabili, esplosivi o tossici è molto complicato pericoloso, gli operatori devono prendere tutte le precauzioni necessarie prima di avviare il attrezzatura. Lavorare con pressione positiva all'interno dei reattori o delle camere lo è pericoloso, l'operatore deve rispettare rigorosamente le procedure di sicurezza. Extra è necessario prestare attenzione anche quando si opera con materiali reattivi all'aria, soprattutto sotto vuoto. Una perdita può far entrare aria nell'apparecchio e causare a si verifichi una reazione violenta.
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FAQ
Che Cos'è La Deposizione Fisica Da Vapore (PVD)?
Che Cos'è Il Metodo PECVD?
Che Cos'è Lo Sputtering Magnetronico?
A Cosa Serve La PECVD?
Perché Lo Sputtering Magnetronico?
Quali Sono I Vantaggi Della PECVD?
Quali Sono I Materiali Utilizzati Nella Deposizione Di Film Sottili?
La deposizione di film sottili utilizza comunemente metalli, ossidi e composti come materiali, ciascuno con vantaggi e svantaggi unici. I metalli sono preferiti per la loro durata e facilità di deposizione, ma sono relativamente costosi. Gli ossidi sono molto durevoli, resistono alle alte temperature e possono essere depositati a basse temperature, ma possono essere fragili e difficili da lavorare. I composti offrono resistenza e durata, possono essere depositati a basse temperature e personalizzati per esibire proprietà specifiche.
La scelta del materiale per un rivestimento a film sottile dipende dai requisiti dell'applicazione. I metalli sono ideali per la conduzione termica ed elettrica, mentre gli ossidi sono efficaci per offrire protezione. I composti possono essere personalizzati per soddisfare esigenze specifiche. In definitiva, il materiale migliore per un particolare progetto dipenderà dalle esigenze specifiche dell'applicazione.
Qual è La Differenza Tra ALD E PECVD?
Quali Sono I Metodi Per Ottenere Una Deposizione Ottimale Di Film Sottili?
Per ottenere film sottili con proprietà desiderabili, sono essenziali target di sputtering e materiali di evaporazione di alta qualità. La qualità di questi materiali può essere influenzata da vari fattori, come la purezza, la dimensione dei grani e le condizioni della superficie.
La purezza dei target di sputtering o dei materiali di evaporazione svolge un ruolo cruciale, poiché le impurità possono causare difetti nel film sottile risultante. Anche la dimensione dei grani influisce sulla qualità del film sottile, con grani più grandi che portano a proprietà scadenti. Inoltre, le condizioni della superficie sono cruciali, poiché le superfici ruvide possono causare difetti nel film.
Per ottenere bersagli di sputtering e materiali di evaporazione della massima qualità, è fondamentale selezionare materiali che possiedano un'elevata purezza, una piccola dimensione dei grani e superfici lisce.
Usi Della Deposizione A Film Sottile
Film sottili a base di ossido di zinco
I film sottili di zinco trovano applicazione in diversi settori, come quello termico, ottico, magnetico ed elettrico, ma il loro impiego principale è nei rivestimenti e nei dispositivi a semiconduttore.
Resistenze a film sottile
Le resistenze a film sottile sono cruciali per la tecnologia moderna e sono utilizzate in ricevitori radio, circuiti stampati, computer, dispositivi a radiofrequenza, monitor, router wireless, moduli Bluetooth e ricevitori per telefoni cellulari.
Film sottili magnetici
I film sottili magnetici sono utilizzati nell'elettronica, nella memorizzazione dei dati, nell'identificazione a radiofrequenza, nei dispositivi a microonde, nei display, nei circuiti e nell'optoelettronica come componenti chiave.
Film sottili ottici
I rivestimenti ottici e l'optoelettronica sono applicazioni standard dei film sottili ottici. L'epitassia a fascio molecolare può produrre dispositivi optoelettronici a film sottile (semiconduttori), dove i film epitassiali sono depositati un atomo alla volta sul substrato.
Film sottili polimerici
I film sottili polimerici sono utilizzati nei chip di memoria, nelle celle solari e nei dispositivi elettronici. Le tecniche di deposizione chimica (CVD) offrono un controllo preciso dei rivestimenti di film polimerici, compresi la conformità e lo spessore del rivestimento.
Batterie a film sottile
Le batterie a film sottile alimentano dispositivi elettronici come i dispositivi medici impiantabili, e la batteria agli ioni di litio è progredita in modo significativo grazie all'uso di film sottili.
Rivestimenti a film sottile
I rivestimenti a film sottile migliorano le caratteristiche chimiche e meccaniche dei materiali di destinazione in varie industrie e campi tecnologici. Rivestimenti antiriflesso, rivestimenti anti-ultravioletti o anti-infrarossi, rivestimenti antigraffio e polarizzazione delle lenti sono alcuni esempi comuni.
Celle solari a film sottile
Le celle solari a film sottile sono essenziali per l'industria dell'energia solare, in quanto consentono la produzione di elettricità pulita e relativamente economica. I sistemi fotovoltaici e l'energia termica sono le due principali tecnologie applicabili.
Qual è La Differenza Tra PECVD E Sputtering?
Fattori E Parametri Che Influenzano La Deposizione Di Film Sottili
Rapidità di deposizione:
La velocità di produzione del film, tipicamente misurata in spessore diviso per il tempo, è fondamentale per selezionare una tecnologia adatta all'applicazione. Per i film sottili è sufficiente una velocità di deposizione moderata, mentre per i film spessi è necessaria una velocità di deposizione rapida. È importante trovare un equilibrio tra velocità e controllo preciso dello spessore del film.
Uniformità:
La consistenza del film sul substrato è nota come uniformità, che di solito si riferisce allo spessore del film ma può anche riguardare altre proprietà come l'indice di rifrazione. È importante avere una buona comprensione dell'applicazione per evitare di sotto- o sovra-specificare l'uniformità.
Capacità di riempimento:
La capacità di riempimento o copertura del gradino si riferisce a quanto il processo di deposizione copre la topografia del substrato. Il metodo di deposizione utilizzato (ad esempio, CVD, PVD, IBD o ALD) ha un impatto significativo sulla copertura dei gradini e sul riempimento.
Caratteristiche del film:
Le caratteristiche del film dipendono dai requisiti dell'applicazione, che possono essere classificati come fotonici, ottici, elettronici, meccanici o chimici. La maggior parte dei film deve soddisfare i requisiti di più di una categoria.
Temperatura di processo:
Le caratteristiche del film sono significativamente influenzate dalla temperatura di processo, che può essere limitata dall'applicazione.
Danni:
Ogni tecnologia di deposizione ha il potenziale di danneggiare il materiale su cui viene depositato, con caratteristiche più piccole che sono più suscettibili ai danni di processo. L'inquinamento, le radiazioni UV e il bombardamento ionico sono tra le potenziali fonti di danno. È fondamentale comprendere i limiti dei materiali e degli strumenti.
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I'm amazed by how well this PECVD machine works. It truly lives up to its promises.
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The rotary design allows for uniform heating and mixing of materials, leading to consistent results.
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The plasma generator boosts reaction efficiency and reduces processing temperatures, making it an efficient choice.
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The variable-diameter furnace tube design ensures proper mixing and optimal heating effects.
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The three-way mass flow meter and gas mixing device offer precise control over the process atmosphere.
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The high-performance mechanical pump facilitates rapid evacuation of the furnace tube, speeding up the process.
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The continuous coating and modification of powder materials using the CVD method is a game-changer.
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The user-friendly interface and remote control capabilities make operation a breeze.
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The safety features, like over current protection and temperature alarming, ensure peace of mind during operation.
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The automatic matching RF plasma source simplifies setup and ensures stable output power.
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The furnace chamber's sliding system enables fast heating and cooling, enhancing productivity.
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The high-accuracy MFC mass flowmeter ensures precise control of source gases, leading to consistent results.
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The stainless steel vacuum flange with adaptable ports allows for easy integration with different vacuum pump stations.
