La velocità della PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) è notevolmente elevata, con tassi di deposizione che vanno da 1 a 10 nm/s o più, molto più veloci delle tecniche tradizionali basate sul vuoto come la PVD (Physical Vapor Deposition). Ad esempio, la velocità di deposizione del nitruro di silicio (Si3N4) mediante PECVD a 400°C è di 130Å/sec, rispetto ai 48Å/min della LPCVD (Low-Pressure Chemical Vapor Deposition) a 800°C, che è circa 160 volte più lenta.
La PECVD raggiunge queste elevate velocità di deposizione utilizzando il plasma per fornire l'energia necessaria allo svolgimento delle reazioni chimiche, anziché affidarsi esclusivamente al riscaldamento del substrato. L'attivazione al plasma dei gas precursori nella camera a vuoto favorisce la formazione di film sottili a temperature più basse, tipicamente comprese tra la temperatura ambiente e circa 350°C. L'uso del plasma nella PECVD non solo accelera il processo di deposizione, ma consente anche di rivestire i substrati a temperature più basse, il che è vantaggioso per i materiali che non possono sopportare elevate sollecitazioni termiche.
Le elevate velocità di deposizione della PECVD la rendono una scelta preferenziale per le applicazioni che richiedono una deposizione rapida ed efficiente di film sottili, soprattutto quando si tratta di materiali sensibili alle alte temperature o quando sono necessari cicli di produzione rapidi. Questa efficienza di deposizione è un fattore chiave per l'affidabilità e l'economicità della PECVD come tecnologia di fabbricazione.
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