La PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) è nota per la sua velocità particolarmente elevata.
Le velocità di deposizione della PECVD vanno da 1 a 10 nm/s o più.
Si tratta di una velocità notevolmente superiore a quella delle tecniche tradizionali basate sul vuoto, come la Physical Vapor Deposition (PVD).
Ad esempio, la velocità di deposizione del nitruro di silicio (Si3N4) mediante PECVD a 400°C è di 130Å/sec.
In confronto, la deposizione chimica da vapore a bassa pressione (LPCVD) a 800°C ha una velocità di deposizione di 48Å/min, che è circa 160 volte più lenta.
5 Approfondimenti chiave
1. Attivazione del plasma per alti tassi di deposizione
La PECVD raggiunge tassi di deposizione elevati utilizzando il plasma per fornire l'energia necessaria alle reazioni chimiche.
L'attivazione al plasma dei gas precursori nella camera da vuoto favorisce la formazione di film sottili a temperature inferiori.
2. Deposizione a bassa temperatura
L'uso del plasma nella PECVD consente di rivestire i substrati a temperature più basse, tipicamente comprese tra la temperatura ambiente e circa 350°C.
Ciò è vantaggioso per i materiali che non possono sopportare elevate sollecitazioni termiche.
3. Efficienza nella deposizione di film sottili
Le elevate velocità di deposizione della PECVD la rendono una scelta preferenziale per le applicazioni che richiedono una deposizione rapida ed efficiente di film sottili.
Questa efficienza è particolarmente importante quando si tratta di materiali sensibili alle alte temperature o quando sono necessari cicli di produzione rapidi.
4. Affidabilità e convenienza
L'efficienza della deposizione è un fattore chiave per l'affidabilità e l'economicità della PECVD come tecnologia di fabbricazione.
5. Applicazioni in vari settori
La PECVD è ampiamente utilizzata nei settori in cui la deposizione rapida ed efficiente di film sottili è fondamentale.
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