Un esempio di PVD (Physical Vapor Deposition) è l'uso dello sputtering per depositare un film sottile di metallo su un substrato, mentre un esempio di CVD (Chemical Vapor Deposition) è la deposizione di uno strato di silicio su un wafer di semiconduttore mediante CVD termica.
Esempio di PVD: Sputtering
Nel processo di sputtering, un materiale bersaglio (il materiale da depositare) viene bombardato con particelle ad alta energia, in genere ioni, che provocano l'espulsione di atomi dal bersaglio e il loro deposito su un substrato. Questo metodo è una forma di PVD perché la deposizione avviene per via fisica anziché per reazione chimica. Lo sputtering è ampiamente utilizzato nell'industria elettronica per depositare film sottili di metalli come rame, alluminio o oro su wafer di semiconduttori. Il vantaggio dello sputtering è che può produrre rivestimenti altamente uniformi e adesivi, il che lo rende ideale per le applicazioni che richiedono un controllo preciso dello spessore e delle proprietà del film.Esempio di CVD: CVD termica per la deposizione di silicio
La CVD termica prevede l'introduzione di un gas precursore di silicio, come il silano (SiH4), in una camera di reazione dove viene riscaldato ad alta temperatura. A queste temperature elevate, il gas precursore si decompone e gli atomi di silicio vengono depositati su un substrato riscaldato, in genere un wafer di semiconduttore. Questo processo forma un sottile strato di silicio, fondamentale per la fabbricazione di dispositivi elettronici. La reazione chimica che si verifica durante la CVD termica è responsabile della deposizione dello strato di silicio, da cui il nome Chemical Vapor Deposition. La CVD è preferita per la sua capacità di creare rivestimenti di alta qualità, densi e conformi, essenziali per le prestazioni dei dispositivi a semiconduttore.
