Quando si confrontano la CVD termica e la PECVD, è importante capire le diverse temperature e fonti di energia utilizzate durante il processo di deposizione.
Qual è la differenza tra CVD termica e PECVD? (4 differenze chiave)
1. Fonti di energia
La CVD termica si basa esclusivamente sull'attivazione termica per guidare le reazioni del gas e della superficie.
2. Intervallo di temperatura
La CVD termica prevede il riscaldamento del substrato ad alte temperature, in genere superiori a 500˚C, per promuovere le reazioni chimiche e la deposizione del materiale desiderato.
La PECVD utilizza sia l'energia termica che la scarica a bagliore indotta dalla radiofrequenza per controllare le reazioni chimiche.
Il plasma creato dall'energia RF produce elettroni liberi che collidono con i gas reagenti, dissociandoli e generando le reazioni desiderate.
3. Temperatura operativa
La PECVD opera a temperature più basse, che vanno da 100˚C a 400˚C.
Questa temperatura più bassa è vantaggiosa in quanto riduce lo stress sul materiale e fornisce un migliore controllo sul processo di deposizione.
4. Vantaggi della PECVD
La PECVD offre vantaggi quali temperature di deposizione più basse, un migliore controllo sulla deposizione di film sottili e la possibilità di depositare film con buone proprietà dielettriche.
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