Comprendere le differenze tra la deposizione fisica da vapore (PVD) e la deposizione chimica da vapore (CVD) è fondamentale per chiunque sia coinvolto nei processi di deposizione di film sottili.
5 punti chiave da comprendere
1. Metodo di creazione del vapore
Nella PVD, il vapore viene creato attraverso mezzi fisici come il riscaldamento o lo sputtering.
La CVD comporta reazioni chimiche di precursori gassosi sulla superficie del substrato per formare un film sottile.
2. Natura del processo di deposizione
La PVD comporta la ionizzazione delle molecole di gas, che si dissociano in atomi e si condensano per formare un film sottile.
La CVD prevede l'introduzione di un gas in una camera di reazione dove reagisce chimicamente con un materiale solido per creare un film sottile.
3. Aspetti chiave di ciascun processo
L'aspetto chiave della PVD è che la formazione del vapore e la deposizione sono processi puramente fisici, senza reazioni chimiche.
L'aspetto critico della CVD è la reazione chimica che si verifica sulla superficie del substrato e che porta alla formazione del film.
4. Idoneità per applicazioni specifiche
La CVD è tipicamente utilizzata per film sottili da pochi nanometri a pochi micrometri e non è adatta a film più spessi o a strutture tridimensionali.
La PVD può essere più versatile a seconda della tecnica specifica utilizzata.
5. Tecniche di PVD e CVD
Nell'ambito della PVD, le tecniche comprendono l'evaporazione con pistola elettronica, l'evaporazione con arco catodico, lo sputtering e l'epitassia a fascio molecolare.
Le tecniche CVD comprendono la CVD termica (convenzionale) e quella attivata al plasma (PECVD).
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