Lo sputtering del silicio è un processo utilizzato per depositare un film sottile di silicio su un substrato, come un wafer di silicio. Questo metodo è chiamato deposizione per polverizzazione, che è un tipo di deposizione fisica da vapore (PVD).
7 passi per comprendere il processo di sputtering del silicio
1. Impostazione della camera a vuoto
Il processo di sputtering inizia in una camera a vuoto. Il substrato, in genere un wafer di silicio, viene posizionato all'interno di questa camera.
2. Posizionamento del target di sputtering
Anche il target di sputtering, realizzato in silicio, viene posizionato nella camera. Questo bersaglio è collegato al catodo, mentre il substrato è collegato all'anodo.
3. Introduzione del gas inerte
Nella camera viene introdotto un gas inerte, solitamente argon. Questo gas serve come mezzo per trasferire il materiale spruzzato dal target al substrato.
4. Formazione del plasma
Al materiale bersaglio viene applicata una carica elettrica negativa, che provoca la formazione di un plasma nella camera. Questo plasma viene creato bombardando il bersaglio con particelle ad alta energia.
5. Sputtering di atomi di silicio
Le particelle ad alta energia, in genere ioni di argon, entrano in collisione con gli atomi del materiale bersaglio, provocandone lo sputtering.
6. Deposizione di film di silicio
Gli atomi di silicio sputati vengono quindi trasportati dal gas inerte attraverso la camera a vuoto e depositati sul substrato.
7. Formazione del film sottile
Il processo di deposizione continua fino alla formazione di un film sottile di silicio dello spessore desiderato sul substrato. Il film di silicio risultante può avere diverse proprietà, come la riflettività, la resistività elettrica o ionica o altre caratteristiche specifiche, a seconda dei parametri e delle condizioni del processo.
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