La deposizione chimica da vapore (CVD) è un processo utilizzato per depositare film sottili o rivestimenti su un substrato attraverso la reazione chimica di precursori gassosi.
Il principio della CVD prevede tre fasi principali: evaporazione di un composto volatile, decomposizione termica o reazione chimica del vapore sul substrato e deposizione dei prodotti non volatili della reazione.
Questo processo richiede in genere temperature elevate e intervalli di pressione specifici per facilitare le reazioni e garantire un rivestimento uniforme.
Qual è il principio della deposizione chimica da vapore? (3 fasi chiave spiegate)
1. Evaporazione di un composto volatile
Nella prima fase, un precursore volatile, che è un composto della sostanza da depositare, viene fatto evaporare.
Questo precursore è in genere un alogenuro o un idruro, scelto in base al materiale desiderato da depositare sul substrato.
Il processo di evaporazione prepara il precursore per le reazioni successive.
2. Decomposizione termica o reazione chimica
Una volta che il precursore è allo stato gassoso, viene introdotto in una camera di reazione dove è sottoposto a temperature elevate (spesso intorno ai 1000°C).
A queste temperature, il precursore subisce una decomposizione termica o reagisce con altri gas presenti nella camera.
Questa reazione scompone il precursore in atomi e molecole pronti per la deposizione.
3. Deposizione di prodotti di reazione non volatili
Gli atomi e le molecole risultanti dalla decomposizione o dalla reazione si depositano sul substrato riscaldato.
Questa deposizione forma un film sottile o un rivestimento che si accumula uniformemente nel tempo.
I prodotti non volatili della reazione aderiscono al substrato, mentre i precursori e i sottoprodotti non reagiti vengono rimossi dalla camera.
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