La deposizione da vapore chimico a bassa pressione (LPCVD) è una tecnica utilizzata per depositare film sottili su substrati.
La velocità di deposizione in LPCVD è influenzata da diversi fattori.
Questi fattori includono la temperatura, la pressione, le portate di gas e le reazioni chimiche specifiche coinvolte.
Qual è la velocità di deposizione dell'LPCVD? (4 fattori chiave spiegati)
1. La temperatura
La temperatura gioca un ruolo fondamentale nella velocità di deposizione dell'LPCVD.
I sistemi LPCVD possono essere controllati con precisione e spesso operano tra i 350 e i 400°C.
La velocità di deposizione dipende in larga misura dalla velocità delle reazioni superficiali, che aumentano con la temperatura.
2. La pressione
L'LPCVD opera a pressioni subatmosferiche, in genere comprese tra 0,1 e 10 Torr.
Questa bassa pressione favorisce la diffusione dei gas e riduce le reazioni indesiderate in fase gassosa.
Di conseguenza, porta a una migliore uniformità del film e a tassi di deposizione più elevati.
3. Velocità di flusso del gas
La velocità di deposizione in LPCVD può essere regolata modificando il rapporto dei gas precursori.Ad esempio, aumentando il rapporto DCS/NH3 si riduce la velocità di deposizione.Ciò indica che le reazioni chimiche tra questi gas influenzano in modo significativo la velocità di crescita del film. 4. Chimica specifica dei gas precursori Anche la chimica specifica dei gas precursori gioca un ruolo fondamentale.
