Il magnetron sputtering si differenzia dagli altri metodi di sputtering principalmente per l'uso di un campo magnetico che migliora il processo di sputtering, portando a tassi di deposizione più elevati e a una migliore qualità del film. Questo metodo prevede il confinamento degli elettroni vicino alla superficie del bersaglio, aumentando la densità degli ioni e quindi l'efficienza del processo di sputtering.
Maggiore efficienza e velocità di deposizione:
Il magnetron sputtering utilizza sia un campo elettrico che un campo magnetico per confinare le particelle vicino alla superficie del bersaglio. Questo confinamento aumenta la densità degli ioni, che a sua volta aumenta la velocità di espulsione degli atomi dal materiale bersaglio. La formula per la velocità di sputtering nel magnetron sputtering DC evidenzia i fattori che influenzano questa velocità, come la densità del flusso ionico, le proprietà del materiale bersaglio e la configurazione del campo magnetico. La presenza di un campo magnetico consente il funzionamento del processo di sputtering a pressioni e tensioni inferiori rispetto ai metodi di sputtering convenzionali, che in genere richiedono pressioni e tensioni più elevate.Tipi di tecniche di sputtering con magnetron:
Esistono diverse varianti dello sputtering con magnetron, tra cui lo sputtering con magnetron a corrente continua (DC), lo sputtering DC pulsato e lo sputtering con magnetron a radiofrequenza (RF). Ciascuna di queste tecniche presenta caratteristiche e vantaggi unici. Per esempio, lo sputtering magnetronico a corrente continua utilizza un'alimentazione a corrente continua per generare un plasma, che viene poi utilizzato per spruzzare il materiale target. Il campo magnetico in questa configurazione contribuisce ad aumentare la velocità di sputtering e a garantire una deposizione più uniforme del materiale spruzzato sul substrato.
Confinamento di elettroni e plasma:
