La temperatura di deposito del SiN (nitruro di silicio) LPCVD è tipicamente compresa tra 700 e 800°C. Questo intervallo viene scelto per garantire la formazione di uno strato di nitruro di silicio denso, amorfo e chimicamente stabile, fondamentale per diverse applicazioni dei semiconduttori.
Spiegazione:
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Intervallo di temperatura: La deposizione di nitruro di silicio mediante LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) viene effettuata a temperature comprese tra 700 e 800°C. Questo intervallo di temperatura è fondamentale perché consente la corretta reazione tra diclorosilano (SiCl2H2) e ammoniaca (NH3) per formare nitruro di silicio (Si3N4) e sottoprodotti come acido cloridrico (HCl) e idrogeno (H2).
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Chimica della reazione: La reazione chimica coinvolta nel processo di deposizione è la seguente:
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[\text{SiCl}_2\text{H}_2 + 4\text{NH}_3 \rightarrow \text{Si}_3\text{N}_4 + 6\text{HCl} + 2 testo{H}_2
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]Questa reazione richiede temperature elevate per procedere efficacemente, garantendo la deposizione di uno strato di nitruro di silicio di alta qualità.
Qualità del film depositato
: A queste temperature, lo strato di nitruro di silicio formato è amorfo, denso e presenta una buona stabilità chimica e termica. Queste proprietà sono essenziali per il suo utilizzo nella produzione di semiconduttori, dove serve come maschera per l'ossidazione selettiva, come maschera dura per i processi di incisione e come dielettrico nei condensatori.
