Che cos'è lo sputtering al plasma?
Lo sputtering al plasma è una tecnica utilizzata per depositare film sottili su substrati dislocando atomi da un materiale solido di destinazione mediante un plasma gassoso. Questo processo è ampiamente applicato in settori quali i semiconduttori, i CD, le unità disco e i dispositivi ottici, grazie all'eccellente uniformità, densità, purezza e adesione dei film sputati.
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Spiegazione dettagliata:Creazione del plasma:
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Lo sputtering al plasma inizia con la creazione di un ambiente di plasma. Questo si ottiene introducendo un gas nobile, in genere argon, in una camera a vuoto e applicando una tensione CC o RF. Il gas viene ionizzato, formando un plasma composto da atomi di gas neutri, ioni, elettroni e fotoni in quasi equilibrio. L'energia di questo plasma è fondamentale per il processo di sputtering.
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Processo di sputtering:
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Nel processo di sputtering, il materiale bersaglio viene bombardato con ioni provenienti dal plasma. Questo bombardamento trasferisce energia agli atomi del bersaglio, facendoli fuoriuscire dalla superficie. Gli atomi fuoriusciti viaggiano quindi attraverso il plasma e si depositano su un substrato, formando un film sottile. La scelta di gas inerti come l'argon o lo xenon per il plasma è dovuta alla loro non reattività con il materiale bersaglio e alla loro capacità di fornire elevate velocità di sputtering e deposizione.Velocità di sputtering:
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La velocità con cui il materiale viene spruzzato dal target è influenzata da diversi fattori, tra cui la resa di sputtering, il peso molare del target, la densità del materiale e la densità di corrente ionica. Questa velocità può essere rappresentata matematicamente ed è fondamentale per controllare lo spessore e l'uniformità del film depositato.
Applicazioni:
