La PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) utilizza diversi gas a seconda dell'applicazione specifica e della composizione del film desiderata.
5 gas comunemente utilizzati nella PECVD
1. Silano (SiH4)
Il silano è un gas precursore spesso utilizzato nei processi PECVD per depositare film a base di silicio, come il nitruro di silicio e l'ossido di silicio.
Viene miscelato con altri gas per controllare le proprietà del film.
2. Ammoniaca (NH3)
L'ammoniaca è un altro gas precursore utilizzato nei processi PECVD.
Viene comunemente utilizzata in combinazione con il silano per depositare film di nitruro di silicio.
L'ammoniaca aiuta a controllare il contenuto di azoto nel film.
3. Argon (Ar)
L'argon è un gas inerte spesso utilizzato come gas vettore o gas diluente nei processi PECVD.
Viene miscelato con i gas precursori per controllare la reazione e garantire una deposizione uniforme del film.
4. Azoto (N2)
L'azoto è un altro gas inerte che può essere utilizzato nei processi PECVD.
Viene comunemente utilizzato come gas vettore o gas diluente per controllare la reazione e prevenire reazioni indesiderate in fase gassosa.
5. Metano (CH4), etilene (C2H4) e acetilene (C2H2)
Questi idrocarburi sono utilizzati nei processi PECVD per la crescita dei nanotubi di carbonio (CNT).
Vengono dissociati dal plasma per generare prodotti di carbonio amorfo.
Per evitare la formazione di prodotti amorfi, questi gas sono in genere diluiti con argon, idrogeno o ammoniaca.
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