Forno CVD e PECVD
Macchina per Forno a Tubo con Equipaggiamento PECVD (Deposizione Chimica da Fase Vapor Potenziata al Plasma) Rotatorio Inclinato
Numero articolo : KT-PED
Il prezzo varia in base a specifiche e personalizzazioni
- Temperatura di riscaldamento del portacampione
- ≤800℃
- Canali di spurgo del gas
- 4 canali
- Dimensione della camera a vuoto
- Φ500mm × 550 mm
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Introduzione
La Deposizione Chimica da Fase Vapor Potenziata al Plasma (PECVD) è un processo di deposizione di film sottili sotto vuoto che utilizza vapori o gas come precursori per creare un rivestimento. La PECVD è una variante della deposizione chimica da fase vapor (CVD) che utilizza il plasma invece del calore per attivare il gas o il vapore di origine. Poiché si possono evitare temperature elevate, la gamma di possibili substrati si estende a materiali a basso punto di fusione – anche le plastiche in alcuni casi. Inoltre, aumenta anche la gamma di materiali di rivestimento che possono essere depositati. La PECVD viene utilizzata per depositare una vasta gamma di materiali, inclusi dielettrici, semiconduttori, metalli e isolanti. I rivestimenti PECVD sono utilizzati in una vasta gamma di applicazioni, incluse le celle solari, i display a pannello piatto e la microelecttronica.
Applicazioni
Le macchine per rivestimento con Deposizione Chimica da Fase Vapor Potenziata al Plasma (PECVD) offrono una soluzione versatile per varie industrie e applicazioni:
- Illuminazione LED:** Deposizione di film dielettrici e semiconduttori di alta qualità per diodi a emissione di luce (LED).
- Semiconduttori di potenza:** Formazione di strati isolanti, ossidi di gate e altri componenti critici nei dispositivi a semiconduttore di potenza.
- MEMS:** Fabbricazione di film sottili per sistemi microelettromeccanici (MEMS), come sensori e attuatori.
- Rivestimenti ottici:** Deposizione di rivestimenti antiriflesso, filtri ottici e altri componenti ottici.
- Celle solari a film sottile:** Produzione di film sottili di silicio amorfo e microcristallino per dispositivi a cella solare.
- Modifica delle superfici:** Miglioramento delle proprietà superficiali, come la resistenza alla corrosione, la resistenza all'usura e la biocompatibilità.
- Nanotecnologia:** Sintesi di nanomateriali, inclusi nanoparticelle, nanofili e film sottili.
Caratteristiche
La Macchina per Rivestimento con Deposizione Chimica da Fase Vapor Potenziata al Plasma (PECVD) offre numerosi vantaggi che aumentano la produttività e forniscono risultati eccezionali:
- Deposizione a bassa temperatura: Consente la formazione di film di alta qualità a temperature significativamente inferiori rispetto ai metodi CVD tradizionali, rendendolo adatto a substrati delicati.
- Alti tassi di deposizione: Massimizza l'efficienza depositando i film rapidamente, riducendo i tempi di produzione e aumentando la produzione.
- Film uniformi e resistenti alle crepe: Garantisce proprietà del film coerenti e minimizza il rischio di cracking, portando a rivestimenti affidabili e durevoli.
- Eccellente adesione ai substrati: Fornisce un forte legame tra il film e il substrato, garantendo prestazioni durature e prevenendo il distacco.
- Capacità di rivestimento versatili: Consente la deposizione di un'ampia gamma di materiali, inclusi SiO2, SiNx e SiOxNy, per soddisfare requisiti applicativi diversificati.
- Personalizzazione per geometrie complesse: Acccomoda substrati con forme intricate, garantendo un rivestimento uniforme e prestazioni ottimali.
- Bassa manutenzione e facile installazione: Minimizza i tempi di inattività e semplifica la configurazione, migliorando la produttività e la convenienza economica.
Specifiche tecniche
| Portacampione | Dimensione | 1-6 pollici |
| Velocità di rotazione | 0-20rpm regolabile | |
| Temperatura di riscaldamento | ≤800℃ | |
| Precisione di controllo | ±0.5℃ Controller PID SHIMADEN | |
| Purga gas | Misuratore di flusso | MASS FLOWMETER CONTROLLER (MFC) |
| Canali | 4 canali | |
| Metodo di raffreddamento | Raffreddamento ad acqua circolante | |
| Camera a vuoto | Dimensione camera | Φ500mm X 550mm |
| Porta di osservazione | Porta a vista completa con deflettore | |
| Materiale camera | Acciaio inossidabile 316 | |
| Tipo porta | Porta ad apertura anteriore | |
| Materiale coperchio | Acciaio inossidabile 304 | |
| Porta pompa vuoto | Flangia CF200 | |
| Porta ingresso gas | Connettore φ6 VCR | |
| Potenza al plasma | Potenza sorgente | Potenza DC o potenza RF |
| Modalità di accoppiamento | Accoppiamento induttivo o capacitivo a piastra | |
| Potenza di uscita | 500W—1000W | |
| Potenza di polarizzazione | 500v | |
| Pompa vuoto | Pompa preliminare | Pompa vuoto a palette 15L/S |
| Porta pompa turbo | CF150/CF200 620L/S-1600L/S | |
| Porta di scarico | KF25 | |
| Velocità pompa | Pompa a palette:15L/s，Pompa turbo:1200l/s o 1600l/s | |
| Grado di vuoto | ≤5×10-5Pa | |
| Sensore vuoto | Manometro vuoto a ionizzazione/resistenza o manometro a film | |
| Sistema | Alimentazione elettrica | AC 220V /380 50Hz |
| Potenza nominale | 5kW | |
| Dimensioni | 900mm X 820mm X870mm | |
| Peso | 200kg |
Principio
La Deposizione Chimica da Fase Vapor Potenziata al Plasma (PECVD) utilizza il plasma per stimolare le reazioni chimiche durante la deposizione, consentendo la formazione di film solidi di alta qualità a basse temperature. Impiegando plasma ad alta energia, le macchine PECVD aumentano i tassi di reazione e abbassano le temperature di reazione. Questa tecnica è ampiamente utilizzata nell'illuminazione LED, nei semiconduttori di potenza e nei MEMS. Consente la deposizione di film di SiO2, SiNx, SiOxNy e altri mezzi, nonché la deposizione ad alta velocità di film spessi di SiO su substrati compositi. La PECVD offre un'eccellente qualità di formazione del film, minimizza i pinhole e riduce le crepe, rendendola adatta per produrre dispositivi a cella solare a film sottile di silicio amorfo e microcristallino.
Vantaggio
- Capacità di depositare vari materiali: La PECVD può depositare un'ampia gamma di materiali, inclusi carbonio tipo diamante, composti di silicio e ossidi metallici, consentendo la creazione di film con proprietà su misura.
- Funzionamento a bassa temperatura: La PECVD opera a basse temperature (tipicamente 300-450°C), rendendola adatta a substrati sensibili al calore.
- Film sottili di alta qualità: La PECVD produce film sottili con uniformità eccezionale, controllo dello spessore e resistenza alle crepe.
- Eccellente adesione: I film depositati dalla PECVD mostrano una forte adesione al substrato, garantendo durata e affidabilità.
- Rivestimento conforme: La PECVD consente il rivestimento di geometrie complesse, fornendo una copertura uniforme e protezione.
- Alti tassi di deposizione: La PECVD offre tassi di deposizione rapidi, aumentando la produttività e riducendo i tempi di produzione.
- Bassa manutenzione: I sistemi PECVD sono progettati per una bassa manutenzione, minimizzando i tempi di inattività e massimizzando il tempo di attività.
- Facile installazione: L'equipaggiamento PECVD è relativamente facile da installare e integrare nelle linee di produzione esistenti.
- Design rigido: I sistemi PECVD sono costruiti con design robusti, garantendo stabilità e prestazioni durature.
- Vita lavorativa estesa: I sistemi PECVD sono progettati per la longevità, fornendo una soluzione economica per le esigenze di deposizione di film sottili a lungo termine.
Avvertenze
La sicurezza dell'operatore è la questione più importante! Si prega di utilizzare l'apparecchiatura con cautele. Lavorare con gas infiammabili, esplosivi o tossici è molto complicato pericoloso, gli operatori devono prendere tutte le precauzioni necessarie prima di avviare il attrezzatura. Lavorare con pressione positiva all'interno dei reattori o delle camere lo è pericoloso, l'operatore deve rispettare rigorosamente le procedure di sicurezza. Extra è necessario prestare attenzione anche quando si opera con materiali reattivi all'aria, soprattutto sotto vuoto. Una perdita può far entrare aria nell'apparecchio e causare a si verifichi una reazione violenta.
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