La PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) è un processo che prevede il deposito di film sottili su un substrato a basse temperature utilizzando il plasma per migliorare le reazioni chimiche.
Questo processo è essenziale nell'industria dei semiconduttori per depositare materiali su superfici che non possono sopportare temperature elevate.
4 fasi chiave del flusso di lavoro PECVD
1. Impostazione e introduzione del gas
Un sistema PECVD è costituito da due elettrodi: uno collegato a terra e l'altro alimentato a RF.
I gas reagenti vengono introdotti tra questi elettrodi.
2. Generazione del plasma
L'energia RF (in genere a 13,56 MHz) genera un plasma tra gli elettrodi attraverso un accoppiamento capacitivo.
La ionizzazione del gas crea specie reattive.
3. Reazioni chimiche
Le specie reattive subiscono reazioni chimiche, guidate dall'energia del plasma.
Si forma così una pellicola sulla superficie del substrato.
4. Crescita del film
Le specie reattive si diffondono attraverso la guaina per raggiungere il substrato.
Si adsorbono e interagiscono, portando alla crescita del film.
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