Il processo a film sottile per i semiconduttori prevede la deposizione di strati di materiali conduttivi, semiconduttori e isolanti su un substrato, tipicamente in silicio o carburo di silicio. Questo processo è fondamentale per la fabbricazione di circuiti integrati e dispositivi discreti a semiconduttore. Gli strati vengono accuratamente modellati utilizzando tecnologie litografiche per creare una moltitudine di dispositivi attivi e passivi simultaneamente.
Metodi di deposizione:
I due metodi principali per la deposizione di film sottili sono la deposizione chimica da vapore (CVD) e la deposizione fisica da vapore (PVD). Nella CVD, i precursori gassosi reagiscono e si depositano sul substrato, formando un film sottile. La PVD, invece, prevede processi fisici di vaporizzazione di un materiale e la sua condensazione sul substrato. Nell'ambito della PVD, si utilizzano tecniche come l'evaporazione a fascio di elettroni, in cui un fascio di elettroni ad alta energia viene utilizzato per riscaldare un materiale di partenza, facendolo evaporare e depositandolo sul substrato.Caratteristiche del film sottile:
I film sottili hanno in genere uno spessore inferiore a 1000 nanometri e sono fondamentali per determinare l'applicazione e le prestazioni del semiconduttore. I film possono essere drogati con impurità come il fosforo o il boro per alterare le loro proprietà elettriche, trasformandoli da isolanti a semiconduttori.
Applicazioni e innovazioni:
La tecnologia dei film sottili non si limita ai semiconduttori tradizionali, ma si estende anche alla creazione di strati di composti polimerici per applicazioni come le celle solari flessibili e i diodi organici a emissione di luce (OLED), utilizzati nei pannelli di visualizzazione di vari dispositivi elettronici.
Panoramica del processo:
