Conoscenza Qual è il processo di deposizione chimica termica da vapore? (4 metodi chiave spiegati)
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Squadra tecnologica · Kintek Solution

Aggiornato 2 mesi fa

Qual è il processo di deposizione chimica termica da vapore? (4 metodi chiave spiegati)

La deposizione chimica termica da vapore (TCVD) è un metodo utilizzato per la produzione di film sottili.

Utilizza temperature elevate per attivare reazioni chimiche.

Questo processo prevede il deposito di un film solido su una superficie riscaldata grazie a reazioni chimiche in fase di vapore.

Il TCVD comprende varie tecnologie come la deposizione di vapori chimici organici di metalli, la deposizione di vapori chimici di cloruri e la deposizione di vapori chimici di idruri.

Qual è il processo di deposizione chimica termica da vapore? (4 metodi chiave spiegati)

Qual è il processo di deposizione chimica termica da vapore? (4 metodi chiave spiegati)

1. Metodo del trasporto chimico

In questo metodo, il materiale per il film sottile reagisce con un'altra sostanza nell'area di origine per produrre un gas.

Questo gas viene poi trasportato nell'area di crescita dove subisce una reazione termica per formare il materiale desiderato.

La reazione in avanti avviene durante il processo di trasporto, mentre la reazione inversa avviene durante il processo di crescita dei cristalli.

2. Metodo della pirolisi

Si tratta di trasportare sostanze volatili contenenti gli elementi del film nell'area di crescita.

Genera le sostanze necessarie attraverso reazioni di decomposizione termica.

La temperatura di crescita per questo metodo varia in genere da 1000 a 1050 gradi Celsius.

Fasi generali del TCVD

Evaporazione di un composto volatile

La sostanza da depositare viene prima evaporata, trasformandosi in vapore.

Decomposizione termica o reazione chimica

Il vapore subisce una decomposizione termica in atomi e molecole, oppure reagisce con altri vapori, liquidi o gas sul substrato.

Deposizione dei prodotti non volatili della reazione

I prodotti non volatili della reazione vengono depositati sul substrato.

Condizioni di processo

Questo processo richiede in genere pressioni che vanno da pochi torr a oltre la pressione atmosferica.

Richiede inoltre temperature relativamente elevate, intorno ai 1000°C.

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