Conoscenza Qual è la pressione per la deposizione di vapore chimico?
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Squadra tecnologica · Kintek Solution

Aggiornato 3 mesi fa

Qual è la pressione per la deposizione di vapore chimico?

La pressione per la deposizione di vapore chimico (CVD) può variare a seconda del metodo specifico utilizzato.

Nella crescita del diamante CVD, il processo avviene tipicamente a bassa pressione, compresa tra 1-27 kPa (0,145-3,926 psi; 7,5-203 Torr). Questo ambiente a bassa pressione consente l'immissione di gas in una camera, che vengono poi eccitati per creare le condizioni per la crescita del diamante sul substrato.

La deposizione di vapore chimico a bassa pressione (LPCVD) è un altro metodo utilizzato nella CVD. Si effettua a pressioni di 0,1-10 Torr e a temperature comprese tra 200 e 800°C. L'LPCVD prevede l'aggiunta di reagenti alla camera utilizzando un sistema di erogazione dei precursori specializzato. Le pareti della camera e il soffione vengono raffreddati, mentre il substrato viene riscaldato. In questo modo si favoriscono le reazioni superficiali eterogenee. Una volta completata la reazione, i sottoprodotti vengono rimossi con pompe da vuoto.

La deposizione di vapore chimico potenziata da plasma (PECVD) è un'altra variante della CVD che utilizza il plasma per fornire l'energia necessaria al processo di deposizione. La PECVD viene eseguita a pressioni di 2-10 Torr e a temperature relativamente basse, comprese tra 200 e 400°C. L'energia elettrica viene utilizzata per creare un plasma di gas neutro, che facilita le reazioni chimiche che guidano la deposizione.

Altre varianti della CVD sono la HDP CVD e la SACVD. L'HDP CVD utilizza un plasma a densità più elevata, consentendo una deposizione a temperatura più bassa (tra 80-150°C) all'interno della camera. Il SACVD, invece, avviene al di sotto della pressione ambiente standard e utilizza l'ozono (O3) per catalizzare la reazione. La pressione per il SACVD è compresa tra circa 13.300-80.000 Pa, con un'elevata velocità di deposizione che migliora con l'aumentare della temperatura fino a circa 490°C.

In generale, la pressione per la deposizione di vapore chimico può variare a seconda del metodo specifico utilizzato, passando da pressioni basse di pochi Torr a pressioni più elevate di migliaia di Pa.

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