Quando si parla di deposizione da vapore chimico (CVD), due metodi comuni sono LPCVD e PECVD.
Questi metodi presentano differenze significative che influiscono sulle loro applicazioni e sulla qualità dei film prodotti.
5 differenze chiave tra LPCVD e PECVD
1. Temperatura di deposizione
L'LPCVD opera tipicamente a temperature più elevate, che vanno da 500 a 1100°C.
La PECVD, invece, opera a temperature più basse, tra i 200 e i 400°C.
La temperatura più bassa della PECVD è ideale per le applicazioni in cui i cicli termici o le limitazioni dei materiali sono un fattore determinante.
2. Qualità del film
I film LPCVD sono generalmente di qualità superiore rispetto ai film PECVD.
I film LPCVD hanno una durata maggiore e tassi di deposizione più elevati.
Non contengono quasi idrogeno e sono più resistenti ai fori di spillo.
I film PECVD hanno una qualità inferiore a causa delle temperature di deposizione più basse e del maggiore contenuto di idrogeno, che può causare stress e influire sulle prestazioni del dispositivo.
3. Tipi di film
LPCVD utilizza principalmente film a base di silicio.
In genere deposita film di nitruro di silicio, che sono comunemente utilizzati come stressor e etch stop.
La PECVD può produrre film sia a base di silicio che a base di tungsteno.
La PECVD è nota per la produzione di film di ossido di silicio.
4. Processo
LPCVD utilizza un reattore tubolare a parete calda per fornire energia ai reagenti.
La PECVD utilizza il plasma per dare energia ai reagenti.
Il plasma nella PECVD consente un processo di deposizione più controllato e a bassa temperatura.
5. Applicazioni
L'LPCVD è comunemente utilizzato per la deposizione di silicio epitassiale.
Tuttavia, la sua capacità è limitata rispetto alla PECVD.
La PECVD è più versatile e può essere utilizzata per un'ampia gamma di applicazioni, tra cui la deposizione di film sottili, strati barriera, passivazione e strati isolanti.
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