La deposizione da vapore chimico (CVD) utilizza comunemente metalli come il silicio, il tungsteno e il titanio nei suoi processi. Questi metalli sono utilizzati in varie forme, tra cui ossidi, carburi, nitruri e altri composti.
Il silicio: Il silicio è un metallo chiave utilizzato nella CVD, spesso in forme come il biossido di silicio (SiO2), il carburo di silicio (SiC) e il nitruro di silicio (Si3N4). Il biossido di silicio è spesso utilizzato nella produzione di semiconduttori per le sue eccellenti proprietà isolanti ed è tipicamente depositato mediante deposizione di vapore chimico a bassa pressione (LPCVD). Il carburo di silicio e il nitruro di silicio sono utilizzati per la loro durezza e stabilità termica, che li rende adatti a varie applicazioni industriali.
Tungsteno: Il tungsteno è un altro metallo utilizzato nei processi CVD, in particolare nell'industria dei semiconduttori per la realizzazione di contatti e interconnessioni, grazie al suo elevato punto di fusione e alla bassa resistività. La CVD del tungsteno prevede l'uso di esafluoruro di tungsteno (WF6) come precursore, che reagisce con l'idrogeno per depositare il tungsteno sul substrato.
Nitruro di titanio: Il nitruro di titanio (TiN) è utilizzato nella CVD per le sue proprietà di materiale duro e buon conduttore elettrico. Viene spesso utilizzato come barriera di diffusione nei dispositivi a semiconduttore e come rivestimento di utensili per migliorarne la durata e la resistenza all'usura.
Questi metalli e i loro composti vengono selezionati per la CVD grazie alle loro proprietà specifiche che li rendono adatti a varie applicazioni nei settori dell'elettronica, dell'ottica e di altre industrie high-tech. Il processo CVD consente un controllo preciso sulla deposizione di questi materiali, garantendo rivestimenti e film uniformi e di alta qualità.
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