Il processo CVD a pressione atmosferica (APCVD) è un metodo di deposizione di vapore chimico che avviene alla normale pressione atmosferica.
Viene utilizzato per la deposizione di vari ossidi su un substrato.
In un sistema APCVD, la camera di reazione opera a pressione atmosferica, o 1 atm.
7 punti chiave da conoscere sul processo CVD a pressione atmosferica
1. Compatibilità con i processi senza vuoto
Il processo APCVD è compatibile con i processi continui in linea senza vuoto.
Ciò lo rende adatto ad applicazioni produttive sensibili ai costi e ad alti volumi, come la produzione di celle fotovoltaiche.
2. Versatilità nella deposizione
Può essere utilizzato per depositare film epitassiali di silicio e composti in un reattore a parete fredda.
Può anche essere utilizzato per creare rivestimenti metallurgici duri come TiC e TiN in un reattore a parete calda.
3. Alta velocità di deposizione
Il processo APCVD ha in genere un'elevata velocità di deposizione.
Ciò significa che può depositare rapidamente uno strato di materiale su un wafer o un substrato.
4. Lunga durata e prestazioni ottimali
I film generati con questa tecnica di deposizione hanno una lunga durata.
Offrono prestazioni ottimali in varie applicazioni.
5. Confronto con altri processi CVD
Oltre alla CVD a pressione atmosferica, esistono altre due categorie di processi CVD: la CVD a bassa pressione (LPCVD) e la CVD ad altissimo vuoto (UHVCVD).
L'LPCVD opera a pressione sub-atmosferica, riducendo la probabilità di reazioni indesiderate in fase di vapore e migliorando l'uniformità del film depositato.
L'UHVCVD, invece, avviene a una pressione molto bassa, solitamente inferiore a 10-6 Pa.
6. Diverse classificazioni dei processi CVD
Esistono anche diverse classificazioni dei processi CVD in base al riscaldamento del substrato, alle proprietà del materiale e ai tipi di plasma utilizzati.
Questi includono la CVD assistita da aerosol, la CVD a iniezione diretta di liquidi, la CVD potenziata da plasma, la CVD assistita da plasma a microonde, la CVD ibrida fisico-chimica e la CVD foto-assistita.
7. Versatilità ed efficienza
Nel complesso, il processo CVD a pressione atmosferica è un metodo versatile ed efficiente per depositare film di ossido su substrati.
Offre tassi di deposizione elevati e compatibilità con i processi di produzione continui e senza vuoto.
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