La deposizione di vapore chimico attivata da plasma (PACVD) è una tecnica specializzata all'interno della più ampia categoria della deposizione di vapore chimico (CVD).
Utilizza il plasma per aumentare la reattività chimica dei gas, consentendo la deposizione di film sottili a temperature inferiori.
Questo metodo prevede la ionizzazione del gas vicino alla superficie del substrato attraverso una scarica a bagliore, che attiva il gas di reazione e promuove le reazioni chimiche termochimiche e al plasma.
4 punti chiave spiegati
1. Attivazione del gas
In un sistema PACVD, il gas di reazione viene introdotto in una camera a pressioni comprese tra 1 e 600 Pa.
Il substrato, spesso posizionato su un catodo, viene mantenuto a una temperatura specifica.
Viene avviata una scarica a bagliore che ionizza il gas vicino alla superficie del substrato, aumentandone la reattività chimica.
2. Reazioni chimiche
Il gas attivato subisce sia reazioni termochimiche, tipiche dei processi CVD, sia reazioni chimiche al plasma, proprie del PACVD.
Queste reazioni sono facilitate dall'alta energia del plasma, che comprende ioni, elettroni liberi e radicali.
Questo doppio meccanismo consente la deposizione di film con proprietà controllate, come la densità e l'adesione.
3. Vantaggi
Il PACVD offre diversi vantaggi rispetto alla CVD convenzionale, tra cui temperature di deposizione più basse, un impatto minimo sulle proprietà del substrato e la capacità di formare film densi e privi di fori.
È versatile, in grado di depositare vari tipi di film, tra cui film metallici, inorganici e organici.
4. Applicazioni
La capacità di depositare film a temperature inferiori e con un controllo preciso delle proprietà dei film rende il PACVD adatto a un'ampia gamma di applicazioni.
Queste applicazioni spaziano dalla fabbricazione di semiconduttori al rivestimento di dispositivi e strumenti medici.
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