Il processo PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) è una tecnica utilizzata per depositare film sottili dallo stato gassoso allo stato solido su un substrato. Questo processo prevede l'uso del plasma per attivare il gas o il vapore sorgente, consentendo la deposizione di rivestimenti a temperature inferiori rispetto ai processi CVD convenzionali. Ciò lo rende adatto a una gamma più ampia di substrati, compresi i materiali a basso punto di fusione e, in alcuni casi, persino le materie plastiche.
Il processo PECVD inizia introducendo una miscela di gas precursori in un reattore. Viene quindi creato un plasma utilizzando energia RF a 13,56 MHz, che accende e sostiene la scarica a bagliore tra due elettrodi paralleli. Questo plasma è responsabile della creazione di specie reattive ed energetiche attraverso le collisioni.
Queste specie reattive si diffondono attraverso la guaina e si adsorbono sulla superficie del substrato, dove interagiscono e formano uno strato di materiale. L'energia del plasma, anziché la sola energia termica, guida le reazioni tra le specie eccitate e il substrato, consentendo la deposizione di film sottili a temperature inferiori, pur ottenendo le proprietà desiderate.
In sintesi, il processo PECVD è una tecnica di deposizione di film sottili sotto vuoto a bassa temperatura che utilizza il plasma per attivare i gas sorgente e depositare rivestimenti su un'ampia gamma di substrati. Questo metodo è particolarmente utile nell'industria dei semiconduttori, dove consente di depositare rivestimenti su superfici che non possono sopportare le temperature dei processi CVD più convenzionali.
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