LPCVD è l'acronimo di Low Pressure Chemical Vapor Deposition. È una tecnica utilizzata nell'industria dei semiconduttori per depositare film sottili di vari materiali su un substrato. Il processo prevede l'uso di gas reattivi a basse pressioni, in genere inferiori a 133 Pa, e viene eseguito in un ambiente ad alta temperatura. Questo metodo consente di ottenere un'eccellente uniformità del film, uniformità della resistività e capacità di riempimento della copertura della trincea grazie all'aumento del coefficiente di diffusione del gas e del campo libero medio all'interno della camera di reazione. L'LPCVD è ampiamente utilizzato per depositare materiali come il polisilicio, il nitruro di silicio e il biossido di silicio, tra gli altri, ed è favorito per la sua capacità di produrre film con meno difetti e una maggiore copertura dei gradini rispetto ai film cresciuti termicamente. Il processo si distingue anche per la precisione nel controllo della temperatura, che contribuisce all'elevata uniformità dei film depositati su wafer e serie diverse.
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