La PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) è una tecnica versatile utilizzata per depositare un'ampia gamma di materiali, tra cui ossido di silicio, biossido di silicio, nitruro di silicio, carburo di silicio, carbonio simile al diamante (DLC) e silicio amorfo. Questo metodo è particolarmente interessante per la sua capacità di produrre film altamente uniformi e stechiometrici con basse sollecitazioni a temperature inferiori a 400°C.
Film a base di silicio:
La PECVD è ampiamente utilizzata per depositare film a base di silicio, come ossido di silicio, biossido di silicio e nitruro di silicio. Questi materiali sono fondamentali nell'industria dei semiconduttori, dove servono come incapsulanti, strati di passivazione, maschere rigide e isolanti. La bassa temperatura di deposizione (100°C - 400°C) della PECVD è vantaggiosa per i dispositivi sensibili alla temperatura, in quanto consente la formazione di questi film senza danneggiare il substrato sottostante.Film a base di carbonio:
Anche il carbonio simile al diamante (DLC) e altri film a base di carbonio vengono depositati mediante PECVD. Questi materiali sono noti per le loro eccellenti proprietà meccaniche ed elettriche, che li rendono adatti ad applicazioni in rivestimenti resistenti all'usura, rivestimenti ottici e come strati protettivi in vari dispositivi elettronici.
Altri materiali:
La tecnologia PECVD si è evoluta fino a includere la deposizione di vari altri materiali come metalli, ossidi, nitruri e boruri. Questi materiali sono utilizzati in un'ampia gamma di applicazioni, dai dispositivi MEMS alla sintonizzazione di filtri RF e come strati sacrificali. La capacità della PECVD di trattare molecole sia inorganiche che organiche ne amplia l'applicabilità in diversi settori.
Progressi tecnologici:
