Lo sputtering è un metodo utilizzato per creare film sottili ed è un tipo di deposizione fisica da vapore (PVD). A differenza di altri metodi di deposizione da vapore, il materiale non si scioglie. Al contrario, gli atomi del materiale di partenza (target) vengono espulsi grazie al trasferimento di quantità di moto da una particella bombardante, in genere uno ione gassoso. Questo processo consente la deposizione di film sottili con eccellente uniformità, densità, purezza e adesione. Lo sputtering può essere eseguito dal basso verso l'alto o dall'alto verso il basso ed è particolarmente vantaggioso per i materiali con punti di fusione molto elevati.
Il processo di sputtering prevede l'uso di un plasma gassoso per staccare gli atomi dalla superficie di un materiale solido di destinazione. Questi atomi vengono poi depositati per formare un rivestimento estremamente sottile sulla superficie dei substrati. La sequenza del processo di sputtering inizia con l'introduzione di un gas controllato in una camera a vuoto contenente il target e il substrato. Il gas viene ionizzato, creando un plasma. Gli ioni del plasma vengono accelerati verso il bersaglio, dove entrano in collisione con il materiale del bersaglio, provocando l'espulsione di atomi. Gli atomi espulsi attraversano il vuoto e si depositano sul substrato, formando un film sottile.
Lo sputtering stesso contiene diversi sottotipi, tra cui corrente continua (DC), radiofrequenza (RF), media frequenza (MF), corrente continua pulsata e HiPIMS, ognuno con una propria applicabilità. Questa versatilità consente di utilizzare lo sputtering per depositare rivestimenti di materiali conduttivi e isolanti con una purezza chimica molto elevata su qualsiasi substrato. Il processo è ripetibile e può essere utilizzato per lotti medio-grandi di substrati, il che lo rende una tecnologia preziosa per un'ampia gamma di applicazioni, tra cui semiconduttori, CD, unità disco e dispositivi ottici.
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