Esistono diversi tipi di tecniche di sputtering con magnetron, ciascuno caratterizzato dal tipo di alimentazione utilizzata e dalle condizioni specifiche in cui avviene lo sputtering. I tipi più comuni includono lo sputtering di magnetron a corrente continua (DC), lo sputtering di magnetron a corrente continua pulsata e lo sputtering di magnetron a radiofrequenza (RF).
Sputtering con magnetron a corrente continua (DC)
In questo metodo si utilizza un'alimentazione a corrente continua per generare un plasma in un ambiente gassoso a bassa pressione. Il plasma si forma in prossimità del materiale bersaglio, che in genere è costituito da metallo o ceramica. Il plasma fa collidere gli ioni del gas con il bersaglio, espellendo gli atomi nella fase gassosa. Il campo magnetico prodotto dal gruppo magnetico aumenta la velocità di sputtering e garantisce una deposizione uniforme del materiale spruzzato sul substrato. La velocità di sputtering può essere calcolata utilizzando una formula specifica che tiene conto di fattori quali la densità del flusso ionico, il numero di atomi del target per unità di volume, il peso atomico del materiale del target e la distanza tra il target e il substrato.Sputtering magnetronico CC pulsato
Questa tecnica utilizza un'alimentazione a corrente continua pulsata con una gamma di frequenza variabile, in genere da 40 a 200 kHz. È ampiamente utilizzata nelle applicazioni di sputtering reattivo e si presenta in due forme comuni: sputtering pulsato unipolare e sputtering pulsato bipolare. In questo processo, gli ioni positivi collidono con il materiale bersaglio, causando l'accumulo di una carica positiva sulla sua superficie, che riduce l'attrazione degli ioni positivi sul bersaglio. Questo metodo è particolarmente efficace per gestire l'accumulo di carica positiva sul bersaglio, che altrimenti potrebbe ostacolare il processo di sputtering.
Sputtering con magnetron a radiofrequenza (RF)
