La deposizione di film sottili con il metodo sputtering prevede la creazione di un sottile strato di materiale su un substrato desiderato. Questo processo si ottiene applicando un flusso di gas controllato, solitamente argon, in una camera a vuoto. Il materiale bersaglio, solitamente un metallo, viene posto come catodo e caricato con un potenziale elettrico negativo. Il plasma all'interno della camera contiene ioni con carica positiva che vengono attratti dal catodo. Questi ioni entrano in collisione con il materiale bersaglio, staccando gli atomi dalla sua superficie.
Gli atomi scollati, noti come materiale spruzzato, attraversano la camera a vuoto e ricoprono il substrato, formando un film sottile. Lo spessore del film può variare da pochi nanometri a qualche micrometro. Questo processo di deposizione è un metodo di deposizione fisica da vapore noto come magnetron sputtering.
Lo sputtering CC è un tipo specifico di metodo di sputtering in cui viene utilizzata una corrente continua (CC) per fornire una tensione al bersaglio metallico in un gas a bassa pressione, in genere argon. Gli ioni del gas entrano in collisione con il materiale bersaglio, facendo schizzare via gli atomi e depositandoli sul substrato.
In generale, la deposizione per sputtering è un metodo ampiamente utilizzato per la creazione di film sottili su varie superfici, dai dispositivi elettronici ai rivestimenti automobilistici. Offre un controllo preciso dello spessore e della composizione del film, rendendolo adatto a un'ampia gamma di applicazioni in settori quali l'elettronica, l'ottica e la scienza dei materiali.
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