Lo sputtering DC, noto anche come sputtering a corrente continua, è una tecnica di rivestimento a film sottile a deposizione fisica di vapore (PVD).
In questa tecnica, un materiale bersaglio che verrà utilizzato come rivestimento viene bombardato con molecole di gas ionizzate.
Questo bombardamento fa sì che gli atomi vengano "sputati" nel plasma.
Questi atomi vaporizzati si condensano e si depositano come un film sottile sul substrato da rivestire.
5 punti chiave spiegati
1. Facile controllo e basso costo
Uno dei principali vantaggi dello sputtering in corrente continua è che è facile da controllare e rappresenta un'opzione a basso costo per la deposizione di metalli per il rivestimento.
2. Applicazioni comuni
È comunemente utilizzato per la deposizione di metallo PVD e per il rivestimento di materiali target elettricamente conduttivi.
Lo sputtering in corrente continua è ampiamente utilizzato nell'industria dei semiconduttori per creare circuiti di microchip a livello molecolare.
Viene utilizzato anche per i rivestimenti in oro su gioielli, orologi e altre finiture decorative.
Inoltre, viene utilizzato per rivestimenti non riflettenti su vetro e componenti ottici.
3. Specifiche tecniche
Lo sputtering in corrente continua si basa su una fonte di alimentazione a corrente continua (DC).
La pressione della camera è tipicamente compresa tra 1 e 100 mTorr.
Gli ioni con carica positiva vengono accelerati verso il materiale target.
Gli atomi espulsi si depositano sui substrati.
4. Materiali adatti
Questa tecnica è comunemente utilizzata con materiali metallici puri per sputtering, come il ferro (Fe), il rame (Cu) e il nichel (Ni), grazie alla sua elevata velocità di deposizione.
5. Sfide con i materiali dielettrici
Tuttavia, è importante notare che lo sputtering in corrente continua di materiali dielettrici può causare il rivestimento delle pareti della camera da vuoto con un materiale non conduttore.
Questo può intrappolare cariche elettriche.
Questo può portare alla comparsa di piccoli e macro archi durante il processo di deposizione.
Ciò può comportare una rimozione non uniforme degli atomi dal materiale di destinazione e potenziali danni all'alimentatore.
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