Il plasma svolge un ruolo cruciale nel processo di sputtering, fornendo gli ioni energetici necessari per espellere le particelle da un materiale bersaglio, che poi si depositano su un substrato per formare un film sottile. Il plasma viene creato ionizzando un gas, in genere un gas inerte come l'argon, utilizzando una sorgente di energia a corrente continua o a radiofrequenza. Questo processo di ionizzazione genera un ambiente dinamico in cui atomi di gas neutri, ioni, elettroni e fotoni coesistono in quasi equilibrio.
Creazione del plasma:
Il plasma si forma introducendo un gas nobile in una camera a vuoto e applicando una tensione per ionizzare il gas. Questo processo di ionizzazione è fondamentale perché genera le particelle energetiche (ioni ed elettroni) che sono essenziali per il processo di sputtering. L'energia del plasma viene trasferita all'area circostante, facilitando l'interazione tra il plasma e il materiale bersaglio.Ruolo nello sputtering:
Nel processo di sputtering, gli ioni energetici del plasma sono diretti verso il materiale bersaglio. Quando questi ioni si scontrano con il bersaglio, trasferiscono la loro energia, provocando l'espulsione di particelle dal bersaglio. Questo fenomeno è noto come sputtering. Le particelle espulse viaggiano quindi attraverso il plasma e si depositano su un substrato, formando un film sottile. L'energia e l'angolo degli ioni che colpiscono il bersaglio, controllati dalle caratteristiche del plasma come la pressione del gas e la tensione del bersaglio, influenzano le proprietà del film depositato, tra cui lo spessore, l'uniformità e l'adesione.
Influenza sulle proprietà del film:
Le proprietà del plasma possono essere regolate per regolare le caratteristiche del film depositato. Ad esempio, variando la potenza e la pressione del plasma o introducendo gas reattivi durante la deposizione, è possibile controllare lo stress e la chimica del film. Ciò rende lo sputtering una tecnica versatile per le applicazioni che richiedono rivestimenti conformi, anche se può essere meno adatta per le applicazioni liftoff a causa del riscaldamento del substrato e della natura non normale del plasma, che può rivestire le pareti laterali degli elementi sul substrato.
Applicazioni:
