blog Cause comuni di rilavorazione e soluzioni per i rivestimenti tubolari PECVD
Cause comuni di rilavorazione e soluzioni per i rivestimenti tubolari PECVD

Cause comuni di rilavorazione e soluzioni per i rivestimenti tubolari PECVD

2 settimane fa

Introduzione ai rivestimenti PECVD nella produzione di celle solari

Importanza del PECVD nella qualità delle celle solari

Il rivestimento PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) svolge un ruolo fondamentale nel migliorare le prestazioni e l'estetica delle celle solari in silicio cristallino. Questo processo è determinante nel determinare l'accettazione del mercato e l'efficienza dei costi delle celle solari, rendendolo un componente critico nel settore dell'energia solare.

Vantaggi principali del rivestimento PECVD

  1. Maggiore assorbimento della luce: Il film di nitruro di silicio formato tramite PECVD può ridurre significativamente la riflessione della luce, aumentando così la quantità di luce assorbita dalla cella solare. Questo miglioramento si traduce direttamente in una maggiore efficienza di conversione energetica.

  2. Miglioramento della passivazione superficiale: L'idrogeno presente nel film di nitruro di silicio passiva la superficie della cella solare, riducendo il tasso di ricombinazione superficiale della giunzione di emissione. Questa riduzione della corrente di buio porta a un aumento della tensione a circuito aperto, incrementando ulteriormente l'efficienza complessiva della conversione fotoelettrica.

  3. Rivestimento uniforme: La versatilità della PECVD consente l'applicazione uniforme di rivestimenti su superfici relativamente ampie, come quelle dei pannelli solari e del vetro ottico. La qualità di rifrazione di questi rivestimenti può essere finemente regolata regolando il plasma, offrendo un grado estremamente elevato di controllo del processo.

Importanza della PECVD nella qualità delle celle solari

Applicazione nella produzione di celle solari

Il processo PECVD prevede diverse fasi complesse:

  • Impostazione iniziale: Il wafer di silicio viene posizionato sull'elettrodo inferiore, mentre lo spazio tra le barche di grafite funge da zona di reazione.
  • Inizio della reazione: I reagenti (SiH4 + NH3) vengono iniettati nel forno di reazione, seguiti dalla decomposizione in campo elettrico.
  • Diffusione molecolare: Le molecole primarie si diffondono e si adsorbono, mentre le molecole secondarie si disperdono nel wafer di silicio.
  • Reazione superficiale: Attraverso le reazioni superficiali si forma una pellicola continua, che alla fine dà origine a un film di nitruro di silicio.

Questo processo dettagliato garantisce che le celle solari non solo funzionino in modo ottimale, ma soddisfino anche i rigorosi standard estetici, fondamentali per l'accettazione da parte del mercato.

Applicazioni più ampie

Oltre alle celle solari, la tecnologia PECVD trova applicazione in diversi campi:

  • Dispositivi ottici: Utilizzata nella produzione di occhiali da sole, dispositivi ottici colorati e fotometri.
  • Imballaggi per alimenti: Impiegati per creare rivestimenti densi e inerti per materiali da imballaggio come i sacchetti di patatine.
  • Impianti biomedici: Utilizzata per produrre rivestimenti di elevata purezza su impianti medici.

Queste diverse applicazioni sottolineano la versatilità e l'importanza della PECVD nella tecnologia e nell'industria moderna.

Le sfide del processo PECVD

La complessità del processo PECVD porta a diversi problemi di rilavorazione, che richiedono un'analisi dettagliata e soluzioni mirate. Diversi fattori contribuiscono a queste sfide, tra cui malfunzionamenti delle apparecchiature, variazioni dei parametri di processo e condizioni ambientali.

Malfunzionamenti delle apparecchiature

  • Problemi con i misuratori di flusso del gas: È essenziale effettuare controlli regolari per garantire che il flussometro del gas funzioni normalmente, poiché le anomalie possono interrompere l'erogazione del gas e compromettere l'uniformità della deposizione del film.
  • Anomalie della pompa del vuoto: Le prestazioni della pompa del vuoto sono fondamentali. L'uso di un vacuometro per misurare la velocità di pompaggio può aiutare a identificare e correggere tempestivamente eventuali problemi.
  • Anomalie del circuito di accoppiamento RF: I guasti nel circuito di accoppiamento RF possono portare a una scarsa qualità del film. Il monitoraggio della potenza riflessa della sorgente RF e il controllo del condensatore e dell'induttore nel circuito di adattamento sono passi necessari.

Variazioni dei parametri di processo

  • Spaziatura delle piastre e dimensioni della camera di reazione: La distanza ottimale tra le piastre è fondamentale. Una distanza maggiore riduce i danni al substrato, ma può esacerbare l'effetto bordo del campo elettrico, compromettendo l'uniformità della deposizione. Le dimensioni della camera di reazione, pur aumentando la produttività, possono influire sull'uniformità dello spessore.
  • Potenza e frequenza RF: Una potenza RF più elevata migliora la qualità del film, ma aumenta i danni al substrato. La frequenza dell'alimentazione RF influisce significativamente sull'uniformità del film: le alte frequenze producono film più uniformi rispetto alle basse frequenze.
  • Pressione dell'aria: La pressione dell'aria durante la formazione del plasma influenza la velocità di deposizione e la qualità del film. L'alta pressione aumenta la velocità di deposizione ma può ridurre la densità del film e aumentare i difetti, mentre la bassa pressione influisce sul meccanismo di deposizione del film.

Condizioni ambientali

  • Temperatura del substrato: La temperatura del substrato influisce significativamente sulla qualità del film, influenzando la densità di stato locale, la mobilità degli elettroni e le proprietà ottiche. Temperature più elevate producono film più densi ma hanno un impatto minimo sulla velocità di deposizione.
  • Pulizia della camera: Il mantenimento della pulizia della camera di processo è fondamentale. I contaminanti possono portare a una scarsa qualità del film e a difetti. La pulizia e il monitoraggio regolari sono necessari per garantire condizioni ottimali.

Queste sfide evidenziano l'intricato equilibrio necessario nel processo PECVD. Affrontare questi problemi attraverso un'analisi meticolosa e regolazioni precise può migliorare significativamente la qualità e l'efficienza dei rivestimenti PECVD.

Cause comuni di rilavorazione PECVD e relative soluzioni

Differenza di colore dei bordi

Il fenomeno della differenza di colore dei bordi nei rivestimenti PECVD è attribuito principalmente a discrepanze nella spaziatura tra i fogli all'interno della barca di grafite. Questa spaziatura irregolare determina campi elettrici non uniformi e tassi di rivestimento incoerenti sulla superficie della cella solare. Le variazioni dei campi elettrici possono portare ad aree localizzate di sovra o sotto rivestimento, che si manifestano come differenze di colore visibili ai bordi delle celle rivestite.

Per attenuare questo problema, si possono attuare diverse misure correttive. In primo luogo, sono essenziali ispezioni regolari dei distanziatori e delle barre in ceramica. Questi componenti svolgono un ruolo fondamentale nel mantenere una spaziatura uniforme all'interno della barca di grafite. Qualsiasi segno di usura o danneggiamento deve essere prontamente affrontato sostituendo le parti interessate. Inoltre, assicurarsi che i distanziatori e le aste in ceramica siano correttamente allineati può contribuire a mantenere una distribuzione uniforme del campo elettrico.

Inoltre, il processo di controllo e sostituzione di questi componenti dovrebbe far parte di un programma di manutenzione ordinaria. Seguendo un piano di manutenzione strutturato, i produttori possono prevenire il ripetersi di differenze di colore dei bordi e garantire una qualità del rivestimento più costante. Questo approccio proattivo non solo migliora l'aspetto estetico delle celle solari, ma ne migliora anche le prestazioni complessive e l'accettazione da parte del mercato.

In sintesi, per affrontare la differenza di colore dei bordi nei rivestimenti PECVD è necessario prestare un'attenzione meticolosa ai meccanismi di spaziatura della barca di grafite. Controllando e sostituendo regolarmente i distanziatori e le barre di ceramica, i produttori possono ottenere un campo elettrico e una velocità di rivestimento più uniformi, riducendo così al minimo le variazioni di colore e migliorando la qualità del prodotto finale.

Scarsa differenza di colore nell'aspetto dei componenti
Scarsa differenza di colore nell'aspetto dei componenti

Differenza di colore al centro

Il fenomeno della differenza di colore al centro nei rivestimenti PECVD deriva principalmente da due fattori critici: un flusso di gas inadeguato e un posizionamento scorretto del substrato. Quando il flusso di gas è insufficiente, i gas reattivi non si distribuiscono uniformemente sulla superficie del substrato, portando alla deposizione di film più sottili nella regione centrale. Allo stesso modo, un posizionamento scorretto può disallineare il substrato all'interno del reattore, con conseguente esposizione non uniforme al plasma e conseguente variazione dello spessore del film.

Per mitigare questo problema, vengono impiegate diverse soluzioni mirate. In primo luogo, è fondamentale garantire la pulizia e il flusso libero dei fori di ingresso dell'aria. L'accumulo di detriti o di ostruzioni in questi fori può ostacolare in modo significativo il flusso di gas, richiedendo una pulizia e una manutenzione regolari. Inoltre, i punti di posizionamento del substrato devono essere ispezionati e riparati meticolosamente. Qualsiasi disallineamento o usura in questi punti può causare un posizionamento non uniforme del substrato, esacerbando la differenza di colore centrale.

In sintesi, per risolvere il problema della differenza di colore centrale è necessario un duplice approccio: ottimizzare la dinamica del flusso di gas e garantire un posizionamento preciso del substrato. Implementando queste misure correttive, i produttori possono migliorare l'uniformità e la qualità dei rivestimenti PECVD, migliorando così le prestazioni complessive delle celle solari in silicio cristallino.

Graffi

I graffi nei rivestimenti PECVD sono spesso il risultato di errori di manipolazione manuale o di usura nei punti di posizionamento critici, come quelli presenti sulle barche di grafite. Questi problemi possono insorgere durante il delicato processo di manipolazione dei wafer, dove anche piccole deviazioni possono portare a danni significativi alla superficie. La presenza di graffi non solo compromette l'estetica delle celle solari, ma influisce anche sulle loro prestazioni complessive e sulla loro commerciabilità.

Per attenuare questi problemi, è possibile attuare diverse misure correttive:

  1. Regolazione della potenza della penna di aspirazione: La regolazione della potenza della penna di aspirazione può aiutare a mantenere una manipolazione più controllata e delicata dei wafer, riducendo la probabilità di graffi. Questa regolazione assicura che le cialde non siano né troppo allentate né troppo strette, riducendo così al minimo il contatto con la superficie e i potenziali danni.

  2. Riparazione e manutenzione dei punti nave in grafite: L'ispezione e la riparazione periodica dei punti di appoggio in grafite sono essenziali. L'usura di questi punti può portare a una manipolazione non uniforme e a un aumento dell'attrito, causando graffi. Assicurandosi che questi punti siano in condizioni ottimali, è possibile ridurre significativamente il rischio di graffi.

  3. Implementazione di sistemi di movimentazione automatizzati: L'introduzione di sistemi di movimentazione automatizzati può ridurre ulteriormente il rischio di graffi. Questi sistemi possono fornire una manipolazione più precisa e coerente rispetto ai processi manuali, riducendo così il fattore di errore umano.

Intervenendo su queste aree, i produttori possono ridurre efficacemente l'incidenza dei graffi nei rivestimenti PECVD, migliorando così la qualità e l'affidabilità delle celle solari in silicio cristallino.

Rimozione del silicio

La rimozione del silicio è un problema comune nel processo di rivestimento PECVD per le celle solari in silicio cristallino, causato principalmente da collisioni durante la discesa dei wafer nel forno PECVD. Queste collisioni possono causare danni significativi ai wafer, rendendo necessaria una rilavorazione e aumentando i costi di produzione.

Per ridurre questo problema, è possibile attuare diverse misure preventive:

  1. Aspirazione di pulizia: La pulizia regolare delle penne di aspirazione garantisce un funzionamento efficiente, riducendo la probabilità di collisioni dei wafer durante l'abbassamento. A tal fine, è necessario utilizzare agenti e tecniche di pulizia appropriati per rimuovere eventuali detriti o residui che potrebbero interferire con il processo di aspirazione.

  2. Controllo dei punti di grafite: L'ispezione e la manutenzione dei punti di imbarcazione in grafite sono fondamentali. Qualsiasi usura o danno a questi punti può causare disallineamenti durante la discesa dei wafer, causando collisioni. Controlli regolari e riparazioni o sostituzioni tempestive possono prevenire questi problemi.

  3. Ottimizzazione dei meccanismi di abbassamento: Anche il miglioramento dei meccanismi responsabili dell'abbassamento dei wafer può essere utile. Ciò include la messa a punto della velocità di abbassamento e il controllo preciso del processo di abbassamento per ridurre al minimo il rischio di collisioni.

Intervenendo su queste aree, i produttori possono ridurre significativamente l'incidenza della rimozione del silicio, migliorando così la qualità e l'efficienza complessiva del processo di rivestimento PECVD.

Scariche anomale

La scarica anomala nel processo PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) è un problema significativo che può verificarsi a causa dell'accumulo di detriti sugli elettrodi o sul fondo del forno PECVD. Questi detriti, spesso un sottoprodotto del processo di rivestimento, possono interferire con il normale funzionamento degli elettrodi, causando scariche irregolari e danneggiando potenzialmente la qualità del rivestimento delle celle solari.

Per attenuare questo problema, è essenziale un approccio completo che preveda sia i controlli pre-alimentazione che la manutenzione regolare.I controlli di pre-alimentazione assicurano che gli elettrodi e l'interno del forno siano liberi da detriti o contaminanti prima dell'inizio del processo. Ciò comporta un'ispezione approfondita e un regime di pulizia che può prevenire l'accumulo iniziale di detriti.

La manutenzione regolare è altrettanto fondamentale. Essa comprende la pulizia programmata degli elettrodi e del fondo del forno, nonché controlli periodici per garantire il funzionamento ottimale di tutti i componenti. Rispettando un rigoroso programma di manutenzione, i produttori possono ridurre significativamente la probabilità di scariche anomale, mantenendo così la consistenza e la qualità dei rivestimenti PECVD.

L'attuazione di queste misure preventive non solo migliora l'efficienza del processo PECVD, ma prolunga anche la durata di vita delle apparecchiature, riducendo i costi complessivi associati a frequenti rilavorazioni e riparazioni.

Pannelli solari fotovoltaici

Conclusioni e prospettive future

Impatto della qualità PECVD sull'industria delle celle solari

Il miglioramento della qualità del processo PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) può portare a sostanziali progressi nelle prestazioni e nell'efficienza di produzione delle celle solari. La PECVD è una tecnologia fondamentale nella produzione di celle solari, in quanto consente la deposizione di film sottili che migliorano l'assorbimento della luce e riducono la riflessione, aumentando così l'efficienza complessiva dei dispositivi fotovoltaici.

La versatilità della PECVD consente un controllo preciso del processo di deposizione, fondamentale per ottenere rivestimenti di alta qualità su grandi superfici come quelle dei pannelli solari. Regolando con precisione le condizioni del plasma, i produttori possono ottenere rivestimenti uniformi con proprietà ottiche ottimali, essenziali per massimizzare l'efficienza di conversione energetica delle celle solari.

Inoltre, la capacità di produrre rivestimenti densi e inerti con un'elevata purezza rende la PECVD indispensabile non solo nell'industria solare, ma anche in diversi altri settori, tra cui le applicazioni biomediche e l'imballaggio alimentare. Nel contesto delle celle solari, il film di nitruro di silicio formato tramite PECVD svolge un duplice ruolo: non solo riduce la riflessione della luce, ma passiva anche la superficie della cella solare, riducendo così il tasso di ricombinazione superficiale e migliorando la tensione a circuito aperto.

I vantaggi di una maggiore qualità PECVD vanno oltre il semplice miglioramento delle prestazioni delle celle solari. Consentendo processi produttivi più efficienti, rivestimenti PECVD di qualità superiore possono ridurre significativamente i costi di produzione, rendendo l'energia solare più competitiva nel mercato energetico globale. Questo, a sua volta, contribuisce al più ampio obiettivo di soluzioni energetiche sostenibili, aiutando ad affrontare le sfide ambientali e a promuovere un futuro più pulito e sostenibile.

Il ruolo della PECVD nelle soluzioni energetiche sostenibili

Il ruolo della Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) nelle soluzioni energetiche sostenibili è multiforme e sempre più cruciale. I processi PECVD non sono solo parte integrante dell'industria dei semiconduttori, ma svolgono anche un ruolo cruciale nel progresso delle tecnologie dell'energia solare. Consentendo la deposizione di film sottili con elevata uniformità e precisione, la PECVD ottimizza l'efficienza delle celle solari, aumentando così i loro tassi di conversione energetica.

Nel campo delle celle solari e del fotovoltaico, la versatilità della PECVD brilla per la sua capacità di applicare rivestimenti uniformi su superfici estese, come quelle dei pannelli solari e del vetro ottico. Questa capacità consente di regolare con precisione le proprietà ottiche di queste superfici, essenziali per massimizzare l'assorbimento della luce e l'efficienza di conversione. La qualità di rifrazione dello strato ottico può essere regolata meticolosamente modificando i parametri del plasma, con il risultato di processi altamente controllati ed efficienti.

Inoltre, i sistemi PECVD offrono vantaggi significativi, come il trattamento a bassa temperatura e l'elevata produttività, che sono fondamentali per mantenere l'integrità dei materiali sensibili utilizzati nelle celle solari. Questi attributi garantiscono che le celle solari prodotte non solo siano efficienti, ma anche durevoli ed economiche, allineandosi perfettamente con gli obiettivi delle soluzioni energetiche sostenibili.

L'integrazione della tecnologia PECVD nella produzione di celle solari rappresenta un passo avanti nell'affrontare le sfide energetiche globali. Contribuendo a una conversione più efficiente dell'energia solare, i processi PECVD non solo promuovono la sostenibilità, ma aprono anche la strada a un futuro più verde e indipendente dall'energia. Con la continua crescita della domanda di dispositivi elettronici avanzati e di fonti energetiche sostenibili, l'importanza della PECVD nell'industria dei semiconduttori e dell'energia solare è destinata a crescere, consolidando ulteriormente il suo ruolo nelle soluzioni energetiche sostenibili.

CONTATTATECI PER UNA CONSULENZA GRATUITA

I prodotti e i servizi di KINTEK LAB SOLUTION sono stati riconosciuti da clienti di tutto il mondo. Il nostro personale sarà lieto di assistervi per qualsiasi richiesta. Contattateci per una consulenza gratuita e parlate con uno specialista del prodotto per trovare la soluzione più adatta alle vostre esigenze applicative!

Prodotti correlati

Macchina di rivestimento PECVD con evaporazione potenziata da plasma

Macchina di rivestimento PECVD con evaporazione potenziata da plasma

Potenziate il vostro processo di rivestimento con le apparecchiature di rivestimento PECVD. Ideale per LED, semiconduttori di potenza, MEMS e altro ancora. Deposita film solidi di alta qualità a basse temperature.

Macchina per forno tubolare rotante inclinato per la deposizione chimica potenziata al plasma (PECVD)

Macchina per forno tubolare rotante inclinato per la deposizione chimica potenziata al plasma (PECVD)

Vi presentiamo il nostro forno PECVD rotativo inclinato per la deposizione precisa di film sottili. La sorgente si abbina automaticamente, il controllo della temperatura programmabile PID e il controllo del flussimetro di massa MFC ad alta precisione. Funzioni di sicurezza integrate per la massima tranquillità.

Sistema RF PECVD Deposizione di vapore chimico potenziata da plasma a radiofrequenza

Sistema RF PECVD Deposizione di vapore chimico potenziata da plasma a radiofrequenza

RF-PECVD è l'acronimo di "Radio Frequency Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition". Deposita DLC (film di carbonio simile al diamante) su substrati di germanio e silicio. Viene utilizzato nella gamma di lunghezze d'onda dell'infrarosso da 3 a 12um.

Forno tubolare Slide PECVD con gassificatore liquido Macchina PECVD

Forno tubolare Slide PECVD con gassificatore liquido Macchina PECVD

Sistema PECVD a scorrimento KT-PE12: Ampio range di potenza, controllo programmabile della temperatura, riscaldamento/raffreddamento rapido con sistema a scorrimento, controllo del flusso di massa MFC e pompa del vuoto.

Macchina CVD versatile con forno a tubo CVD, realizzata dal cliente

Macchina CVD versatile con forno a tubo CVD, realizzata dal cliente

Ottenete il vostro forno CVD esclusivo con KT-CTF16 Customer Made Versatile Furnace. Funzioni di scorrimento, rotazione e inclinazione personalizzabili per reazioni precise. Ordinate ora!

Rivestimento diamantato CVD

Rivestimento diamantato CVD

Rivestimento diamantato CVD: Conducibilità termica, qualità dei cristalli e adesione superiori per utensili da taglio, attrito e applicazioni acustiche

Attrezzatura per il rivestimento di nano-diamante HFCVD con stampo di trafilatura

Attrezzatura per il rivestimento di nano-diamante HFCVD con stampo di trafilatura

Lo stampo di trafilatura con rivestimento composito di nano-diamante utilizza il carburo cementato (WC-Co) come substrato e utilizza il metodo della fase di vapore chimico (in breve, il metodo CVD) per rivestire il diamante convenzionale e il rivestimento composito di nano-diamante sulla superficie del foro interno dello stampo.

Forno tubolare CVD a più zone di riscaldamento Macchina CVD

Forno tubolare CVD a più zone di riscaldamento Macchina CVD

Forno CVD a più zone di riscaldamento KT-CTF14 - Controllo preciso della temperatura e del flusso di gas per applicazioni avanzate. Temperatura massima fino a 1200℃, misuratore di portata massica MFC a 4 canali e controller touch screen TFT da 7".

Macchina diamantata MPCVD con risonatore a campana per il laboratorio e la crescita di diamanti

Macchina diamantata MPCVD con risonatore a campana per il laboratorio e la crescita di diamanti

Ottenete film di diamante di alta qualità con la nostra macchina MPCVD con risonatore a campana, progettata per la crescita di diamanti in laboratorio. Scoprite come funziona la Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition per la crescita di diamanti utilizzando gas di carbonio e plasma.

Forno tubolare CVD a camera split con macchina CVD a stazione sottovuoto

Forno tubolare CVD a camera split con macchina CVD a stazione sottovuoto

Efficiente forno CVD a camera divisa con stazione di vuoto per un controllo intuitivo del campione e un rapido raffreddamento. Temperatura massima di 1200℃ con controllo accurato del flussimetro di massa MFC.

Diamante drogato con boro CVD

Diamante drogato con boro CVD

Diamante drogato con boro CVD: Un materiale versatile che consente di ottenere conducibilità elettrica, trasparenza ottica e proprietà termiche eccezionali per applicazioni in elettronica, ottica, rilevamento e tecnologie quantistiche.

Lunghezza d'onda 400-700nm Vetro antiriflesso / rivestimento AR

Lunghezza d'onda 400-700nm Vetro antiriflesso / rivestimento AR

I rivestimenti AR vengono applicati sulle superfici ottiche per ridurre la riflessione. Possono essere costituiti da un singolo strato o da più strati, progettati per ridurre al minimo la luce riflessa attraverso l'interferenza distruttiva.

Rack per la pulizia dei substrati di vetro conduttivo in PTFE

Rack per la pulizia dei substrati di vetro conduttivo in PTFE

La rastrelliera per la pulizia del substrato di vetro conduttivo in PTFE viene utilizzata come supporto del wafer quadrato di silicio della cella solare per garantire una gestione efficiente e priva di inquinamento durante il processo di pulizia.

Piastra ottica al quarzo JGS1 / JGS2 / JGS3

Piastra ottica al quarzo JGS1 / JGS2 / JGS3

La lastra di quarzo è un componente trasparente, durevole e versatile, ampiamente utilizzato in vari settori. Realizzata in cristallo di quarzo di elevata purezza, presenta un'eccellente resistenza termica e chimica.

Macchina diamantata MPCVD a risonatore cilindrico per la crescita del diamante in laboratorio

Macchina diamantata MPCVD a risonatore cilindrico per la crescita del diamante in laboratorio

Scoprite la macchina MPCVD con risonatore cilindrico, il metodo di deposizione di vapore chimico al plasma a microonde utilizzato per la crescita di gemme e film di diamante nell'industria dei gioielli e dei semiconduttori. Scoprite i suoi vantaggi economici rispetto ai metodi tradizionali HPHT.

Macchina diamantata MPCVD a 915 MHz

Macchina diamantata MPCVD a 915 MHz

La macchina diamantata MPCVD a 915MHz e la sua crescita multi-cristallo efficace, l'area massima può raggiungere 8 pollici, l'area massima di crescita efficace del cristallo singolo può raggiungere 5 pollici. Questa apparecchiatura è utilizzata principalmente per la produzione di pellicole di diamante policristallino di grandi dimensioni, per la crescita di lunghi diamanti a cristallo singolo, per la crescita a bassa temperatura di grafene di alta qualità e per altri materiali che richiedono energia fornita dal plasma a microonde per la crescita.


Lascia il tuo messaggio