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Rack per la pulizia dei substrati di vetro conduttivo in PTFE

Materiale PTFE

Rack per la pulizia dei substrati di vetro conduttivo in PTFE

Numero articolo : PTFE-03

Il prezzo varia in base a specifiche e personalizzazioni


Materiale
Politetrafluoroetilene (ptfe)
Specifiche
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Spedizione:

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Applicazione

Utilizzato per la pulizia e la corrosione di wafer di silicio a semiconduttore, wafer di silicio, vetro, schermi a cristalli liquidi, ecc., fiore blu di cella solare, wafer di silicio solare blu_portatore di wafer di silicio solare, cella fotovoltaica blu, wafer di silicio fotovoltaico blu, utilizzato per la pulizia di wafer di silicio di cella solare, utilizzato per trasportare wafer di silicio di cella solare quadrato, e il materiale è PTFE. Questo prodotto pulisce e converte i wafer di silicio in soluzioni di NaOH, HCl, HF e altre soluzioni al di sotto dei 100°C. Non deforma né inquina i wafer di silicio dopo un uso prolungato.

Dettagli e parti

Dettaglio del rack per la pulizia del substrato di vetro conduttivo in PTFE 1Particolare del rack per la pulizia del substrato di vetro conduttivo in PTFE 2Particolare del rack per la pulizia del substrato di vetro conduttivo in PTFE 3Dettaglio rack per la pulizia del substrato di vetro conduttivo in PTFE 4Dettaglio rack per la pulizia del substrato di vetro conduttivo in PTFE 5

Specifiche tecniche

10×10×1,1 mm 20×20×1,1 mm 25×25×2,2 mm 30×30×2,2 mm
15×15×1,1 mm 25×25×1,1 mm 30×30×1,1 mm

1 pollice, 2 pollici, 4 pollici di diametro, ecc. (le dimensioni sopra indicate sono quelle dei wafer di vetro o di silicio), doppie maniglie (l'altezza delle maniglie può essere personalizzata) per una facile rimozione dei rack di lavaggio in fogli di PTFE da becher e altri contenitori con vetro.

I prodotti che presentiamo sono disponibili in diverse misure e su richiesta sono disponibili misure personalizzate.

Vantaggi

  • Ampio intervallo di temperatura: Funziona perfettamente da -200°C a +250°C.
  • Eccezionale resistenza alla corrosione: Resiste a forti acidi, alcali, acqua regia e solventi organici senza dissolversi, adsorbirsi o precipitare.
  • Basso valore di bianco degli elementi metallici: Rischio minimo di inquinamento.
  • Isolamento superiore: Indipendente dai fattori ambientali e dalla frequenza, caratterizzato da una bassa perdita dielettrica e da un'elevata tensione di rottura.
  • Resistente all'invecchiamento atmosferico e alle radiazioni.
  • Bassa permeabilità: Assicura una protezione e una pulizia efficaci.
  • Autolubrificante: Vanta il più basso coefficiente di attrito tra le materie plastiche, riducendo i problemi legati all'attrito.
  • Superficie non adesiva: Materiale solido con bassa energia superficiale, che impedisce l'adesione.
  • Proprietà meccaniche morbide: Offre flessibilità e versatilità.

FAQ

Che cos'è la deposizione fisica da vapore (PVD)?

La deposizione fisica da vapore (PVD) è una tecnica per depositare film sottili vaporizzando un materiale solido nel vuoto e depositandolo poi su un substrato. I rivestimenti PVD sono altamente durevoli, resistenti ai graffi e alla corrosione e sono quindi ideali per una varietà di applicazioni, dalle celle solari ai semiconduttori. La PVD crea anche film sottili in grado di resistere alle alte temperature. Tuttavia, la PVD può essere costosa e il costo varia a seconda del metodo utilizzato. Ad esempio, l'evaporazione è un metodo PVD a basso costo, mentre lo sputtering a fascio ionico è piuttosto costoso. Il magnetron sputtering, invece, è più costoso ma più scalabile.

Che cos'è la PECVD RF?

RF PECVD è l'acronimo di radio-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition, una tecnica utilizzata per preparare film policristallini su un substrato utilizzando un plasma a scarica di bagliore per influenzare il processo durante la deposizione di vapore chimico a bassa pressione. Il metodo PECVD a radiofrequenza è ben consolidato per la tecnologia dei circuiti integrati al silicio standard, che prevede l'utilizzo di wafer piatti come substrati. Questo metodo è vantaggioso per la possibilità di fabbricare film a basso costo e per l'elevata efficienza di deposizione. I materiali possono essere depositati anche come film a indice di rifrazione graduato o come una pila di nano-film, ciascuno con proprietà diverse.

Che cos'è lo sputtering magnetronico?

Il magnetron sputtering è una tecnica di rivestimento al plasma utilizzata per produrre film molto densi con un'eccellente adesione, che lo rende un metodo versatile per creare rivestimenti su materiali che hanno punti di fusione elevati e non possono essere evaporati. Questo metodo genera un plasma confinato magneticamente vicino alla superficie di un bersaglio, dove ioni energetici con carica positiva si scontrano con il materiale del bersaglio con carica negativa, causando l'espulsione di atomi o "sputtering". Questi atomi espulsi vengono poi depositati su un substrato o un wafer per creare il rivestimento desiderato.

Come funziona la PECVD a radiofrequenza?

La PECVD RF funziona creando un plasma in una camera a vuoto. Il gas precursore viene introdotto nella camera e la potenza della radiofrequenza viene applicata per creare un campo elettrico. Questo campo elettrico provoca la ionizzazione del gas precursore, formando un plasma. Il plasma contiene specie reattive che possono reagire chimicamente con la superficie del substrato, portando alla deposizione di un film sottile. La potenza della radiofrequenza aiuta anche a controllare l'energia del plasma, consentendo un migliore controllo delle proprietà del film, come la composizione, l'uniformità e l'adesione. I parametri del processo, come la portata del gas, la pressione e la potenza RF, possono essere regolati per ottimizzare il processo di deposizione del film.

Perché lo sputtering magnetronico?

Il magnetron sputtering è preferito per la sua capacità di raggiungere un'elevata precisione nello spessore del film e nella densità dei rivestimenti, superando i metodi di evaporazione. Questa tecnica è particolarmente adatta per creare rivestimenti metallici o isolanti con specifiche proprietà ottiche o elettriche. Inoltre, i sistemi di sputtering magnetronico possono essere configurati con più sorgenti magnetroniche.

Quali sono i vantaggi della PECVD a radiofrequenza?

La PECVD a radiofrequenza offre diversi vantaggi per la deposizione di film sottili. In primo luogo, consente la deposizione di film di alta qualità con un eccellente controllo delle proprietà del film, quali spessore, composizione e uniformità. L'uso di un plasma aumenta la reattività del processo, consentendo la deposizione di film a temperature più basse rispetto ai metodi CVD termici tradizionali. La PECVD a radiofrequenza offre anche una migliore copertura del gradino, consentendo la deposizione di film in strutture ad alto rapporto d'aspetto. Un altro vantaggio è la capacità di depositare un'ampia gamma di materiali, tra cui nitruro di silicio, biossido di silicio, silicio amorfo e vari altri materiali a film sottile. Il processo è altamente scalabile e può essere facilmente integrato nei processi produttivi esistenti. Inoltre, la PECVD RF è un metodo relativamente economico rispetto ad altre tecniche di deposizione di film sottili.

Quali sono i materiali utilizzati nella deposizione di film sottili?

La deposizione di film sottili utilizza comunemente metalli, ossidi e composti come materiali, ciascuno con vantaggi e svantaggi unici. I metalli sono preferiti per la loro durata e facilità di deposizione, ma sono relativamente costosi. Gli ossidi sono molto durevoli, resistono alle alte temperature e possono essere depositati a basse temperature, ma possono essere fragili e difficili da lavorare. I composti offrono resistenza e durata, possono essere depositati a basse temperature e personalizzati per esibire proprietà specifiche.

La scelta del materiale per un rivestimento a film sottile dipende dai requisiti dell'applicazione. I metalli sono ideali per la conduzione termica ed elettrica, mentre gli ossidi sono efficaci per offrire protezione. I composti possono essere personalizzati per soddisfare esigenze specifiche. In definitiva, il materiale migliore per un particolare progetto dipenderà dalle esigenze specifiche dell'applicazione.

Quali sono i metodi per ottenere una deposizione ottimale di film sottili?

Per ottenere film sottili con proprietà desiderabili, sono essenziali target di sputtering e materiali di evaporazione di alta qualità. La qualità di questi materiali può essere influenzata da vari fattori, come la purezza, la dimensione dei grani e le condizioni della superficie.

La purezza dei target di sputtering o dei materiali di evaporazione svolge un ruolo cruciale, poiché le impurità possono causare difetti nel film sottile risultante. Anche la dimensione dei grani influisce sulla qualità del film sottile, con grani più grandi che portano a proprietà scadenti. Inoltre, le condizioni della superficie sono cruciali, poiché le superfici ruvide possono causare difetti nel film.

Per ottenere bersagli di sputtering e materiali di evaporazione della massima qualità, è fondamentale selezionare materiali che possiedano un'elevata purezza, una piccola dimensione dei grani e superfici lisce.

Usi della deposizione a film sottile

Film sottili a base di ossido di zinco

I film sottili di zinco trovano applicazione in diversi settori, come quello termico, ottico, magnetico ed elettrico, ma il loro impiego principale è nei rivestimenti e nei dispositivi a semiconduttore.

Resistenze a film sottile

Le resistenze a film sottile sono cruciali per la tecnologia moderna e sono utilizzate in ricevitori radio, circuiti stampati, computer, dispositivi a radiofrequenza, monitor, router wireless, moduli Bluetooth e ricevitori per telefoni cellulari.

Film sottili magnetici

I film sottili magnetici sono utilizzati nell'elettronica, nella memorizzazione dei dati, nell'identificazione a radiofrequenza, nei dispositivi a microonde, nei display, nei circuiti e nell'optoelettronica come componenti chiave.

Film sottili ottici

I rivestimenti ottici e l'optoelettronica sono applicazioni standard dei film sottili ottici. L'epitassia a fascio molecolare può produrre dispositivi optoelettronici a film sottile (semiconduttori), dove i film epitassiali sono depositati un atomo alla volta sul substrato.

Film sottili polimerici

I film sottili polimerici sono utilizzati nei chip di memoria, nelle celle solari e nei dispositivi elettronici. Le tecniche di deposizione chimica (CVD) offrono un controllo preciso dei rivestimenti di film polimerici, compresi la conformità e lo spessore del rivestimento.

Batterie a film sottile

Le batterie a film sottile alimentano dispositivi elettronici come i dispositivi medici impiantabili, e la batteria agli ioni di litio è progredita in modo significativo grazie all'uso di film sottili.

Rivestimenti a film sottile

I rivestimenti a film sottile migliorano le caratteristiche chimiche e meccaniche dei materiali di destinazione in varie industrie e campi tecnologici. Rivestimenti antiriflesso, rivestimenti anti-ultravioletti o anti-infrarossi, rivestimenti antigraffio e polarizzazione delle lenti sono alcuni esempi comuni.

Celle solari a film sottile

Le celle solari a film sottile sono essenziali per l'industria dell'energia solare, in quanto consentono la produzione di elettricità pulita e relativamente economica. I sistemi fotovoltaici e l'energia termica sono le due principali tecnologie applicabili.

Fattori e parametri che influenzano la deposizione di film sottili

Rapidità di deposizione:

La velocità di produzione del film, tipicamente misurata in spessore diviso per il tempo, è fondamentale per selezionare una tecnologia adatta all'applicazione. Per i film sottili è sufficiente una velocità di deposizione moderata, mentre per i film spessi è necessaria una velocità di deposizione rapida. È importante trovare un equilibrio tra velocità e controllo preciso dello spessore del film.

Uniformità:

La consistenza del film sul substrato è nota come uniformità, che di solito si riferisce allo spessore del film ma può anche riguardare altre proprietà come l'indice di rifrazione. È importante avere una buona comprensione dell'applicazione per evitare di sotto- o sovra-specificare l'uniformità.

Capacità di riempimento:

La capacità di riempimento o copertura del gradino si riferisce a quanto il processo di deposizione copre la topografia del substrato. Il metodo di deposizione utilizzato (ad esempio, CVD, PVD, IBD o ALD) ha un impatto significativo sulla copertura dei gradini e sul riempimento.

Caratteristiche del film:

Le caratteristiche del film dipendono dai requisiti dell'applicazione, che possono essere classificati come fotonici, ottici, elettronici, meccanici o chimici. La maggior parte dei film deve soddisfare i requisiti di più di una categoria.

Temperatura di processo:

Le caratteristiche del film sono significativamente influenzate dalla temperatura di processo, che può essere limitata dall'applicazione.

Danni:

Ogni tecnologia di deposizione ha il potenziale di danneggiare il materiale su cui viene depositato, con caratteristiche più piccole che sono più suscettibili ai danni di processo. L'inquinamento, le radiazioni UV e il bombardamento ionico sono tra le potenziali fonti di danno. È fondamentale comprendere i limiti dei materiali e degli strumenti.

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Fast delivery and excellent packaging. The rack is made of high-quality PTFE, which is resistant to corrosion and heat.

Muhammad Rafiq

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Pedro Martinez

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