Gli svantaggi dello sputtering a fascio ionico (IBS) ruotano principalmente attorno ai suoi limiti nel raggiungere una deposizione uniforme su grandi superfici, all'elevata complessità delle apparecchiature e ai costi operativi, nonché alle sfide nell'integrazione del processo per una precisa strutturazione del film.
1. Area target limitata e bassa velocità di deposizione:
Lo sputtering a fascio ionico è caratterizzato da un'area bersaglio relativamente piccola per il bombardamento. Questa limitazione influisce direttamente sulla velocità di deposizione, che è generalmente inferiore rispetto ad altre tecniche di deposizione. L'area di destinazione ridotta significa che per le superfici più grandi è difficile ottenere uno spessore uniforme del film. Anche con i progressi compiuti, come lo sputtering a doppio fascio ionico, il problema dell'area bersaglio insufficiente persiste, con conseguente non uniformità e bassa produttività.2. Complessità e costi operativi elevati:
Le apparecchiature utilizzate nello sputtering a fascio ionico sono notevolmente complesse. Questa complessità non solo aumenta l'investimento iniziale richiesto per la messa a punto del sistema, ma comporta anche costi operativi più elevati. Gli intricati requisiti di configurazione e manutenzione possono rendere l'IBS un'opzione economicamente meno valida per molte applicazioni, soprattutto se confrontata con metodi di deposizione più semplici ed economici.
3. Difficoltà di integrazione del processo per una precisa strutturazione del film:
L'IBS incontra delle difficoltà quando si tratta di integrare processi come il lift-off per la strutturazione del film. La natura diffusa del processo di sputtering rende difficile ottenere un'ombra completa, essenziale per limitare la deposizione di atomi a zone specifiche. L'impossibilità di controllare completamente la posizione di deposito degli atomi può causare problemi di contaminazione e difficoltà nell'ottenere film precisi e strutturati. Inoltre, il controllo attivo per la crescita strato per strato è più impegnativo nell'IBS rispetto a tecniche come la deposizione laser pulsata, dove il ruolo degli ioni sputati e risputati è più facilmente gestibile.
4. Inclusione di impurità:
