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Sistema di apparecchiature per deposizione chimica da vapore CVD Forno a tubo PECVD con gassificatore a liquido Macchina PECVD

Forno CVD e PECVD

Sistema di apparecchiature per deposizione chimica da vapore CVD Forno a tubo PECVD con gassificatore a liquido Macchina PECVD

Numero articolo : KT-PE12

Il prezzo varia in base a specifiche e personalizzazioni


Temperatura massima
1200 ℃
Temperatura di lavoro costante
1100 ℃
Diametro del tubo del forno
60 mm
Lunghezza della zona di riscaldamento
1x450 mm
Velocità di riscaldamento
0-20 ℃/min
Distanza di scorrimento
600mm
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Introduzione

La macchina PECVD con gassificatore a liquido e forno a tubo scorrevole PECVD è un sistema versatile e ad alte prestazioni progettato per un'ampia gamma di applicazioni di deposizione di film sottili. È dotato di una sorgente al plasma RF da 500 W, un forno estraibile, un controllo preciso del flusso di gas e una stazione per vuoto. Il sistema offre vantaggi quali l'abbinamento automatico del plasma, il riscaldamento e il raffreddamento ad alta velocità, il controllo della temperatura programmabile e un'interfaccia user-friendly. È ampiamente utilizzato in ambienti di ricerca e produzione per la deposizione di film sottili in vari settori, tra cui elettronica, semiconduttori e ottica.

Applicazioni

La macchina PECVD con gassificatore a liquido e forno a tubo scorrevole PECVD trova applicazione in:

  • Deposizione chimica da vapore (CVD)
  • Deposizione chimica da vapore potenziata da plasma (PECVD)
  • Deposizione di film sottili
  • Fabbricazione di celle solari
  • Processamento di semiconduttori
  • Nanotecnologia
  • Scienza dei materiali
  • Ricerca e sviluppo

Disponibili diversi sistemi CVD con temperature e configurazioni diverse

Sistema PECVD scorrevole con gassificatore a liquido(1. Sensore di vuoto 2. Plasma RF 3. Forno 4. Valvola di scarico 5. Valvola a farfalla 6. Cinghia di riscaldamento 7. Flussometro 8. Gassificatore a liquido 9. Stazione gas 10. Armadio)
Sistema PECVD scorrevole con gassificatore a liquido(1. Sensore di vuoto 2. Plasma RF 3. Forno 4. Valvola di scarico 5. Valvola a farfalla 6. Cinghia di riscaldamento 7. Flussometro 8. Gassificatore a liquido 9. Stazione gas 10. Armadio)
Sistema PECVD scorrevole con forno a doppio tubo diviso
Sistema PECVD scorrevole con forno a doppio tubo diviso
Sistema PECVD diviso con tubo di grande diametro
Sistema PECVD diviso con tubo di grande diametro
Sistema PECVD a 4 canali MFC con stazione ad alto vuoto
Sistema PECVD a 4 canali MFC con stazione ad alto vuoto

Principio

La macchina PECVD con gassificatore a liquido e forno a tubo scorrevole PECVD utilizza plasma a bassa temperatura per generare una scarica luminosa nel catodo della camera di processo (vassoio del campione). La scarica luminosa (o un'altra fonte di calore) aumenta la temperatura del campione a un livello predeterminato. Quindi, vengono introdotti quantitativi controllati di gas di processo, che subiscono reazioni chimiche e al plasma per formare un film solido sulla superficie del campione.

Caratteristiche

La macchina PECVD con gassificatore a liquido e forno a tubo scorrevole PECVD offre numerosi vantaggi agli utenti:

  • Generazione di potenza migliorata per wafer di celle solari: l'innovativa struttura a barca in grafite migliora significativamente la potenza di uscita delle celle solari.
  • Eliminazione della differenza di colore nelle celle PECVD tubolari: questa apparecchiatura affronta efficacemente il problema della variazione di colore nelle celle PECVD tubolari.
  • Ampio intervallo di potenza di uscita (5-500 W): la sorgente di abbinamento automatico del plasma RF fornisce una gamma versatile di potenza di uscita, garantendo prestazioni ottimali per varie applicazioni.
  • Riscaldamento e raffreddamento ad alta velocità: il sistema di scorrimento della camera del forno consente un rapido riscaldamento e raffreddamento, riducendo i tempi di elaborazione. La circolazione forzata ausiliaria dell'aria accelera ulteriormente la velocità di raffreddamento.
  • Movimento di scorrimento automatizzato: la funzione di movimento di scorrimento opzionale consente il funzionamento automatico, migliorando l'efficienza e riducendo l'intervento manuale.
  • Controllo preciso della temperatura: il controllo della temperatura programmabile PID garantisce una regolazione accurata della temperatura, supportando il controllo remoto e centralizzato per una maggiore comodità.
  • Controllo del flussometro di massa MFC ad alta precisione: il flussometro di massa MFC controlla con precisione i gas sorgente, garantendo un'alimentazione di gas stabile e costante.
  • Stazione per vuoto versatile: la flangia per vuoto in acciaio inossidabile con più porte di adattamento ospita varie configurazioni di stazioni per pompe per vuoto, garantendo un alto grado di vuoto.
  • Interfaccia user-friendly: il controller con touchscreen TFT da 7 pollici CTF Pro semplifica l'impostazione dei programmi e consente una facile analisi dei dati storici.

Vantaggi

  • Sorgente di abbinamento automatico del plasma RF, ampio intervallo di potenza di uscita da 5 a 500 W con uscita stabile
  • Sistema di scorrimento della camera del forno per riscaldamento ad alta velocità e raffreddamento di breve durata, sono disponibili raffreddamento rapido ausiliario e movimento di scorrimento automatico
  • Controllo della temperatura programmabile PID, eccellente precisione di controllo e supporto per il controllo remoto e centralizzato
  • Controllo del flussometro di massa MFC ad alta precisione, pre-miscelazione dei gas sorgente e velocità di alimentazione del gas stabile
  • Flangia per vuoto in acciaio inossidabile con varie porte di adattamento per soddisfare diverse configurazioni di stazioni per pompe per vuoto, buona tenuta e alto grado di vuoto
  • CTF Pro utilizza un controller con touchscreen TFT da 7 pollici, impostazione del programma più user-friendly e analisi dei dati storici

Vantaggio di sicurezza

  • Il forno a tubo Kindle Tech dispone di protezione da sovracorrente e funzione di allarme di sovratemperatura, il forno spegnerà automaticamente l'alimentazione
  • Il forno integra la funzione di rilevamento della termocoppia, il forno smetterà di riscaldarsi e l'allarme si attiverà una volta rilevato un guasto o un malfunzionamento
  • PE Pro supporta la funzione di riavvio in caso di interruzione di corrente, il forno riprenderà il programma di riscaldamento del forno quando l'alimentazione viene ripristinata dopo un guasto

Specifiche tecniche

Modello forno KT-PE12-60
Temperatura max. 1200℃
Temperatura di lavoro costante 1100℃
Materiale del tubo del forno Quarzo ad alta purezza
Diametro del tubo del forno 60 mm
Lunghezza zona di riscaldamento 1x450 mm
Materiale della camera Fibra di allumina giapponese
Elemento riscaldante Bobina di filo Cr2Al2Mo2
Velocità di riscaldamento 0-20℃/min
Termocoppia Integrata tipo K
Controller di temperatura Controller digitale PID/Controller touchscreen PID
Precisione del controllo della temperatura ±1℃
Distanza di scorrimento 600 mm
Unità al plasma RF
Potenza di uscita Da 5 a 500 W regolabile con stabilità ± 1%
Frequenza RF 13,56 MHz ± 0,005% di stabilità
Potenza riflessa Max. 350 W
Abbinamento Automatico
Rumore <50 dB
Raffreddamento Raffreddamento ad aria.
Unità di controllo preciso del gas
Flussometro Flussometro di massa MFC
Canali gas 4 canali
Portata MFC1: 0-5 SCCM O2
MFC2: 0-20 SCCM CH4
MFC3: 0-100 SCCM H2
MFC4: 0-500 SCCM N2
Linearità ±0,5% F.S.
Ripetibilità ±0,2% F.S.
Tubazioni e valvole Acciaio inossidabile
Pressione massima di esercizio 0,45 MPa
Controller flussometro Controller a manopola digitale/Controller touchscreen
Unità vuoto standard (opzionale)
Pompa per vuoto Pompa per vuoto a palette rotanti
Portata della pompa 4 L/S
Bocchetta di aspirazione del vuoto KF25
Manometro Manometro Pirani/Resistenza al silicio
Pressione nominale di vuoto 10 Pa
Unità ad alto vuoto (opzionale)
Pompa per vuoto Pompa a palette rotanti + Pompa molecolare
Portata della pompa 4 L/S + 110 L/S
Bocchetta di aspirazione del vuoto KF25
Manometro Manometro composto
Pressione nominale di vuoto 6x10-4 Pa
Le specifiche e le configurazioni sopra riportate possono essere personalizzate

Pacchetto standard

N. Descrizione Quantità
1 Forno 1
2 Tubo di quarzo 1
3 Flangia per vuoto 2
4 Blocco termico del tubo 2
5 Gancio per blocco termico del tubo 1
6 Guanto resistente al calore 1
7 Sorgente al plasma RF 1
8 Controllo preciso del gas 1
9 Unità vuoto 1
10 Manuale di istruzioni 1

Configurazione opzionale

  • Rilevamento e monitoraggio dei gas nel tubo, come H2, O2 e così via
  • Monitoraggio e registrazione indipendenti della temperatura del forno
  • Porta di comunicazione RS 485 per controllo remoto PC ed esportazione dati
  • Controllo della portata dei gas di inserzione, come flussometro di massa e flussometro a galleggiante
  • Controller di temperatura touchscreen con funzioni versatili e user-friendly
  • Configurazioni di stazioni per pompe ad alto vuoto, come pompa per vuoto a palette, pompa molecolare, pompa a diffusione

Avvertenze

La sicurezza dell'operatore è la questione più importante! Si prega di utilizzare l'apparecchiatura con cautele. Lavorare con gas infiammabili, esplosivi o tossici è molto complicato pericoloso, gli operatori devono prendere tutte le precauzioni necessarie prima di avviare il attrezzatura. Lavorare con pressione positiva all'interno dei reattori o delle camere lo è pericoloso, l'operatore deve rispettare rigorosamente le procedure di sicurezza. Extra è necessario prestare attenzione anche quando si opera con materiali reattivi all'aria, soprattutto sotto vuoto. Una perdita può far entrare aria nell'apparecchio e causare a si verifichi una reazione violenta.

Progettato per te

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FAQ

Che Cos'è Il Metodo PECVD?

La PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) è un processo utilizzato nella produzione di semiconduttori per depositare film sottili su dispositivi microelettronici, celle fotovoltaiche e pannelli di visualizzazione. Nella PECVD, un precursore viene introdotto nella camera di reazione allo stato gassoso e l'assistenza di mezzi reattivi al plasma dissocia il precursore a temperature molto più basse rispetto alla CVD. I sistemi PECVD offrono un'eccellente uniformità del film, un processo a bassa temperatura e un'elevata produttività. Sono utilizzati in un'ampia gamma di applicazioni e svolgeranno un ruolo sempre più importante nell'industria dei semiconduttori con la continua crescita della domanda di dispositivi elettronici avanzati.

Che Cos'è L'Mpcvd?

MPCVD è l'acronimo di Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition ed è un processo di deposito di film sottili su una superficie. Utilizza una camera a vuoto, un generatore di microonde e un sistema di erogazione di gas per creare un plasma composto da sostanze chimiche che reagiscono e dai catalizzatori necessari. L'MPCVD è molto utilizzato nella rete ANFF per depositare strati di diamante utilizzando metano e idrogeno per far crescere nuovo diamante su un substrato con seme di diamante. Si tratta di una tecnologia promettente per la produzione di diamanti di grandi dimensioni a basso costo e di alta qualità ed è ampiamente utilizzata nell'industria dei semiconduttori e del taglio dei diamanti.

A Cosa Serve La PECVD?

Il metodo PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) è ampiamente utilizzato nell'industria dei semiconduttori per la fabbricazione di circuiti integrati e nei settori fotovoltaico, tribologico, ottico e biomedico. Viene utilizzata per depositare film sottili per dispositivi microelettronici, celle fotovoltaiche e pannelli di visualizzazione. La PECVD può produrre composti e film unici che non possono essere creati solo con le comuni tecniche CVD e film che dimostrano un'elevata resistenza ai solventi e alla corrosione e una stabilità chimica e termica. Viene inoltre utilizzata per produrre polimeri organici e inorganici omogenei su ampie superfici e carbonio simile al diamante (DLC) per applicazioni tribologiche.

Che Cos'è La Macchina Mpcvd?

La macchina MPCVD (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition) è un'apparecchiatura di laboratorio utilizzata per la produzione di film di diamante di alta qualità. Utilizza un gas contenente carbonio e un plasma a microonde per creare una sfera di plasma sopra il substrato di diamante, che lo riscalda a una temperatura specifica. La sfera di plasma non entra in contatto con la parete della cavità, rendendo il processo di crescita del diamante privo di impurità e migliorando la qualità del diamante. Il sistema MPCVD è composto da una camera a vuoto, un generatore di microonde e un sistema di erogazione del gas che controlla il flusso di gas nella camera.

Quali Sono I Vantaggi Della PECVD?

I vantaggi principali della PECVD sono la capacità di operare a temperature di deposizione più basse, garantendo una migliore conformità e una copertura a gradini su superfici irregolari, un controllo più stretto del processo di film sottile e tassi di deposizione elevati. La PECVD consente applicazioni di successo in situazioni in cui le temperature CVD convenzionali potrebbero potenzialmente danneggiare il dispositivo o il substrato da rivestire. Operando a una temperatura più bassa, la PECVD crea meno stress tra gli strati di film sottile, consentendo prestazioni elettriche ad alta efficienza e incollaggi secondo standard molto elevati.

Quali Sono I Vantaggi Dell'Mpcvd?

L'MPCVD presenta diversi vantaggi rispetto ad altri metodi di produzione dei diamanti, come una maggiore purezza, un minore consumo energetico e la possibilità di produrre diamanti più grandi.

Qual è La Differenza Tra ALD E PECVD?

L'ALD è un processo di deposizione di film sottili che consente una risoluzione atomica dello spessore dello strato, un'eccellente uniformità delle superfici ad alto rapporto d'aspetto e strati privi di fori. Ciò si ottiene grazie alla formazione continua di strati atomici in una reazione autolimitante. La PECVD, invece, prevede la miscelazione del materiale di partenza con uno o più precursori volatili, utilizzando un plasma per interagire chimicamente e scomporre il materiale di partenza. I processi utilizzano il calore con pressioni più elevate, che portano a un film più riproducibile in cui lo spessore del film può essere gestito in base al tempo/alla potenza. Questi film sono più stechiometrici, più densi e sono in grado di produrre film isolanti di qualità superiore.

I Diamanti CVD Sono Veri O Falsi?

I diamanti CVD sono diamanti veri e non falsi. Vengono coltivati in laboratorio attraverso un processo chiamato Chemical Vapor Deposition (CVD). A differenza dei diamanti naturali, che vengono estratti dal sottosuolo, i diamanti CVD vengono creati in laboratorio con tecnologie avanzate. Questi diamanti sono composti al 100% da carbonio e rappresentano la forma più pura di diamante, nota come diamante di tipo IIa. Hanno le stesse proprietà ottiche, termiche, fisiche e chimiche dei diamanti naturali. L'unica differenza è che i diamanti CVD vengono creati in laboratorio e non estratti dalla terra.

Qual è La Differenza Tra PECVD E Sputtering?

PECVD e sputtering sono entrambe tecniche di deposizione fisica da vapore utilizzate per la deposizione di film sottili. La PECVD è un processo diffusivo guidato da gas che produce film sottili di alta qualità, mentre lo sputtering è un processo di deposizione a vista. La PECVD consente una migliore copertura su superfici irregolari come trincee, pareti e un'elevata conformità e può produrre composti e film unici. D'altra parte, lo sputtering è ottimo per la deposizione di strati sottili di diversi materiali, ideale per creare sistemi di rivestimento multistrato e multigraduato. La PECVD è utilizzata principalmente nell'industria dei semiconduttori, nei settori tribologico, ottico e biomedico, mentre lo sputtering è utilizzato soprattutto per i materiali dielettrici e le applicazioni tribologiche.
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