Lo sputtering a radiofrequenza è generalmente considerato superiore allo sputtering in corrente continua per diversi motivi, in particolare per la sua capacità di depositare una gamma più ampia di materiali e per la sua efficacia con bersagli isolanti. Ecco una spiegazione dettagliata dei motivi per cui lo sputtering a radiofrequenza è migliore di quello a corrente continua:
1. Versatilità nel deposito di vari materiali:
Lo sputtering RF è in grado di depositare un'ampia varietà di materiali, tra cui isolanti, metalli, leghe e compositi. Questa versatilità è particolarmente utile nei settori in cui le proprietà dei film solidi sottili devono essere adattate a requisiti specifici. A differenza dello sputtering in corrente continua, che ha difficoltà con gli obiettivi isolanti a causa dell'accumulo di cariche, lo sputtering in radiofrequenza può gestire efficacemente questi materiali.2. Miglioramento della qualità del film e della copertura del gradino:
Lo sputtering RF produce una migliore qualità del film e una migliore copertura dei gradini rispetto ai metodi di evaporazione. Questo aspetto è fondamentale nelle applicazioni in cui l'uniformità e l'aderenza del film sono fondamentali, come ad esempio nella produzione di semiconduttori.
3. Riduzione degli effetti di carica e degli archi elettrici:
L'uso di una sorgente RF CA a una frequenza di 13,56 MHz aiuta a evitare gli effetti di carica e riduce gli archi elettrici. Ciò è dovuto al fatto che il segno del campo elettrico su ogni superficie all'interno della camera di plasma cambia con la radiofrequenza, impedendo l'accumulo di cariche che possono causare archi elettrici e danni al materiale target.4. Funzionamento a pressioni inferiori:
Lo sputtering a radiofrequenza può funzionare a pressioni inferiori (da 1 a 15 mTorr) pur mantenendo il plasma. Questo ambiente a bassa pressione riduce il numero di collisioni tra le particelle cariche del plasma e il materiale del bersaglio, con conseguente percorso più diretto verso il bersaglio di sputtering e maggiore efficienza. Al contrario, lo sputtering in corrente continua richiede in genere pressioni più elevate (circa 100 mTorr), che possono portare a un maggior numero di collisioni e a uno sputtering meno efficiente.
5. Innovazioni e progressi:
