Il carburo di silicio (SiC) può resistere a temperature fino a 1.400˚C, mantenendo la sua resistenza meccanica. È inoltre in grado di operare a temperature ancora più elevate, ben oltre i 1.316°C (2.400°F), in particolare nelle applicazioni che prevedono l'uso di tubi radianti.
Resistenza alle alte temperature:
Il carburo di silicio è noto per la sua capacità di mantenere un'elevata resistenza meccanica a temperature fino a 1.400˚C. Questa proprietà lo rende un materiale ideale per le applicazioni in cui prevalgono le alte temperature. Inoltre, il SiC può essere utilizzato efficacemente in ambienti in cui le temperature superano i 2.000°F (1.093°C), come ad esempio nei tubi radianti. In queste applicazioni ad alta temperatura, gli elementi in SiC devono essere adeguatamente supportati per ridurre al minimo la distorsione e devono essere centrati all'interno del tubo radiante utilizzando un distanziatore refrattario adeguato.Uso in tubi radianti:
Negli scenari in cui elementi metallici come il cromo e il nichel non sono adatti a causa della loro limitata tolleranza alla temperatura, il SiC emerge come una valida alternativa. In particolare, se utilizzato come elemento a baionetta all'interno di un tubo radiante, il SiC può operare a temperature ben superiori a 2.000°F (1.093°C). Questo aspetto è fondamentale nei processi industriali che richiedono calore estremo, dove il SiC non solo soddisfa i requisiti termici, ma offre anche una migliore resistenza alla corrosione chimica rispetto ad altre ceramiche.
Conducibilità termica e ossidazione:
Il SiC vanta anche un'elevata conduttività termica, compresa tra 120 e 270 W/mK, superiore a quella dei comuni acciai e della ghisa. Questa elevata conducibilità termica contribuisce a distribuire efficacemente il calore, a tutto vantaggio delle applicazioni ad alta temperatura. Tuttavia, è importante notare che la conducibilità termica diminuisce con l'aumentare della temperatura e questo fattore deve essere attentamente considerato in applicazioni specifiche.
Per quanto riguarda l'ossidazione, il SiC può essere ossidato termicamente in SiO2, un processo che richiede temperature comprese tra 1.200 e 1.600 °C. Questo processo di ossidazione è fondamentale per alcune applicazioni e dimostra un altro aspetto delle capacità del SiC alle alte temperature.
