Sì, il SiO2 può essere sottoposto a sputtering. Ciò si ottiene attraverso un processo chiamato sputtering reattivo, in cui il silicio (Si) viene utilizzato come materiale di destinazione in presenza di un gas non inerte, in particolare l'ossigeno (O2). L'interazione tra gli atomi di silicio sputati e il gas ossigeno all'interno della camera di sputtering porta alla formazione di biossido di silicio (SiO2) sotto forma di film sottile.
Spiegazione dello sputtering reattivo:
Lo sputtering reattivo è una tecnica utilizzata nella deposizione di film sottili in cui un gas reattivo, come l'ossigeno, viene introdotto nell'ambiente di sputtering. Nel caso della formazione di SiO2, un bersaglio di silicio viene posto nella camera di sputtering e viene introdotto il gas ossigeno. Quando il silicio viene spruzzato, gli atomi espulsi reagiscono con l'ossigeno per formare SiO2. Questo processo è fondamentale per ottenere la composizione chimica e le proprietà desiderate nel film sottile.Personalizzazione dell'indice di rifrazione:
Il riferimento cita anche il co-sputtering, che prevede l'utilizzo di più bersagli nella camera di sputtering. Ad esempio, co-sfondando bersagli di silicio e titanio in un ambiente ricco di ossigeno, è possibile creare film con un indice di rifrazione personalizzato. La potenza applicata a ciascun bersaglio può essere variata per regolare la composizione del film depositato, controllando così l'indice di rifrazione tra i valori tipici di SiO2 (1,5) e TiO2 (2,4).
Vantaggi dello sputtering:
Lo sputtering è favorito rispetto ad altri metodi di deposizione per la sua capacità di produrre film con una buona adesione ai substrati e per la sua capacità di gestire materiali con elevati punti di fusione. Il processo può essere eseguito dall'alto verso il basso, cosa che non è possibile con la deposizione per evaporazione. Inoltre, i sistemi di sputtering possono essere dotati di varie opzioni, come la pulizia in situ o il preriscaldamento del substrato, che migliorano la qualità e la funzionalità dei film depositati.
Produzione di target per lo sputtering del silicio:
