Il processo di sputtering è una tecnica sofisticata utilizzata per depositare film sottili su vari substrati. Ecco una descrizione dettagliata delle sette fasi principali del processo:
1. Camera a vuoto
La camera di deposizione viene messa sotto vuoto a una pressione di circa 10-6 torr.
La creazione di un ambiente sottovuoto è fondamentale per la pulizia e il controllo del processo.
Consente un percorso libero medio più lungo, che aiuta a ottenere una deposizione più uniforme e più liscia.
2. Introduzione del gas di sputtering
Nella camera si introducono gas inerti come l'argon o lo xenon.
Questi gas vengono utilizzati per creare un ambiente di plasma.
3. Generazione del plasma
Una tensione viene applicata tra due elettrodi posizionati nella camera, generando una scarica a bagliore.
Questa scarica crea un plasma composto da elettroni liberi e ioni positivi.
4. Ionizzazione del gas di sputtering
Nel plasma, gli elettroni liberi si scontrano con gli atomi del gas di sputtering, provocando la separazione degli elettroni dagli atomi del gas.
Ciò comporta la formazione di ioni positivi del gas di sputtering.
5. Accelerazione degli ioni positivi
Grazie alla tensione applicata, gli ioni positivi del gas di sputtering accelerano verso il catodo, che è l'elettrodo con carica negativa.
Questa accelerazione è guidata dai campi elettrici presenti nella camera.
6. Erosione del bersaglioGli ioni positivi accelerati entrano in collisione con il materiale target, che è la fonte del materiale di rivestimento.Queste collisioni provocano l'espulsione o la polverizzazione degli atomi dal materiale bersaglio.7. Deposizione di film sottileGli atomi sputati attraversano la camera di deposizione sotto vuoto e si depositano come film sottile sulla superficie del substrato.
