I metodi di deposizione dell'ossido di indio-stagno (ITO) comprendono la deposizione laser pulsata (PLD), l'elettrodeposizione e lo sputtering. Ogni metodo presenta condizioni e vantaggi specifici.
Deposizione laser pulsata (PLD):
La PLD è un metodo versatile che può depositare film di ITO a temperature comprese tra la temperatura ambiente e i 400°C, rendendolo adatto a vari substrati tra cui plastica, vetro e altri materiali. La deposizione avviene in un ambiente ossigenato con una pressione di 5-50 mTorr. La densità di energia laser tipicamente utilizzata è compresa tra 0,75-1,5 J/cm². Questo metodo non richiede un ulteriore trattamento termico ed è particolarmente vantaggioso per i substrati che non possono sopportare alte temperature, in quanto ne preserva la forma e le proprietà.Galvanotecnica:
L'elettrodeposizione è uno dei metodi più antichi di deposizione di film sottili. In questo processo, il substrato viene immerso in un bagno chimico contenente atomi di metallo disciolti. Viene applicata una corrente elettrica che fa depositare gli atomi di metallo sul substrato. Questo metodo è stato ampiamente utilizzato per varie applicazioni, tra cui la deposizione di ITO per la sua elevata conduttività e trasparenza ottica. L'elettrodeposizione consente di depositare l'ITO a temperature relativamente basse, rendendolo adatto a una varietà di substrati, in particolare il vetro.
Sputtering:
Lo sputtering prevede l'uso di un bersaglio ITO, un semiconduttore ceramico di colore grigio-nero formato mescolando ossido di indio e polvere di ossido di stagno in un rapporto specifico. Il bersaglio viene bombardato con particelle ad alta energia, che provocano l'espulsione degli atomi dal bersaglio e il loro deposito sul substrato. Questo metodo è noto per la sua capacità di produrre film sottili uniformi e di alta qualità ed è ampiamente utilizzato nell'industria elettronica per applicazioni che richiedono una deposizione precisa e controllata di ITO.
