Squadra tecnologica · Kintek Solution

I processi di deposizione chimica sono un insieme di tecniche utilizzate per depositare strati sottili o spessi di materiali su un substrato. Questi processi sono fondamentali in diversi settori, tra cui l'elettronica e l'ottica, per creare rivestimenti che alterano le proprietà del substrato. I principali tipi di deposizione chimica comprendono la deposizione da vapore chimico (CVD) e la deposizione di strati atomici (ALD).

Deposizione chimica da vapore (CVD):

1. La CVD è un processo in cui precursori gassosi vengono trasportati sulla superficie di un substrato dove subiscono reazioni chimiche per formare uno strato solido. Il processo prevede diverse fasi:Trasporto di specie gassose in reazione:
2. I gas contenenti gli elementi chimici desiderati vengono introdotti nella camera di deposizione e trasportati sul substrato.Assorbimento delle specie:
3. Le specie gassose aderiscono alla superficie del substrato.Reazioni eterogenee catalizzate dalla superficie:
4. Le reazioni chimiche avvengono sulla superficie, facilitate dal substrato o da catalizzatori aggiuntivi.Diffusione superficiale delle specie ai siti di crescita:
5. Le specie reagite si spostano sulla superficie per formare uno strato uniforme.Nucleazione e crescita del film:
6. Le molecole appena formate iniziano a raggrupparsi, formando un film continuo.Desorbimento dei prodotti gassosi della reazione:

I sottoprodotti della reazione vengono rimossi dalla superficie e trasportati fuori dalla camera.

Le tecniche di CVD possono essere diverse, come la deposizione di vapore chimico a pressione atmosferica (APCVD), la deposizione di vapore chimico potenziata al plasma (PECVD) e la deposizione di vapore chimico assistita da aerosol, ognuna adattata ad applicazioni e materiali specifici.Deposizione di strati atomici (ALD):

L'ALD è una versione più controllata della CVD, in cui il processo di deposizione è suddiviso in cicli autolimitati che consentono un controllo preciso dello spessore e dell'uniformità dello strato depositato. Ogni ciclo prevede in genere due o più gas precursori che vengono introdotti in sequenza. Il primo precursore si adsorbe sulla superficie, saturando tutti i siti disponibili, seguito dall'introduzione di un secondo precursore che reagisce con il primo. Questo processo viene ripetuto per costruire lo spessore desiderato dello strato, atomo per atomo.

Altri metodi di deposizione: