Lo sputtering RF è un processo di rivestimento specializzato che coinvolge diversi parametri chiave per garantire una deposizione di film sottile efficiente e di alta qualità.
4 fattori chiave spiegati
Fonte di alimentazione e tensione
Lo sputtering RF utilizza una sorgente di alimentazione CA.
Questa sorgente opera a una frequenza specifica di 13,56 MHz.
Questa frequenza aiuta a prevenire l'accumulo di carica sui materiali target.
La tensione da picco a picco è impostata a 1000 V.
Questa tensione è essenziale per mantenere il plasma e garantire uno sputtering efficiente.
Densità degli elettroni e pressione della camera
Le densità degli elettroni nello sputtering a radiofrequenza variano da 10^9 a 10^11 cm^-3 .
Queste densità influenzano la ionizzazione del gas e l'efficienza complessiva del processo di sputtering.
La pressione della camera viene impostata tra 0,5 e 10 mTorr.
Questa pressione più bassa riduce le collisioni tra i gas ionizzati e migliora l'efficienza del processo di deposizione.
Un ambiente a bassa pressione aiuta a ottenere una deposizione più uniforme e controllata.Idoneità del materiale e velocità di deposizione
