La deposizione per sputtering è un metodo popolare per la creazione di film sottili, ma è generalmente più lenta della deposizione per evaporazione.
Perché la deposizione per sputtering è più lenta di quella per evaporazione? 4 ragioni chiave spiegate
1. Danno indotto dal plasma al substrato
Lo sputtering utilizza un plasma che genera atomi ad alta velocità che bombardano il substrato.
Questo bombardamento può danneggiare il substrato e rallentare il processo di deposizione.
La deposizione per evaporazione, invece, prevede l'evaporazione di atomi da una sorgente, che in genere produce un numero inferiore di atomi ad alta velocità.
2. Introduzione di impurità
Lo sputtering opera in un intervallo di vuoto inferiore rispetto alla deposizione per evaporazione, il che può introdurre impurità nel substrato.
Il plasma utilizzato nello sputtering ha una maggiore tendenza a introdurre impurità rispetto alle condizioni di vuoto più elevate utilizzate nella deposizione per evaporazione.
3. Temperatura e velocità di deposizione inferiori
Lo sputtering viene eseguito a una temperatura inferiore rispetto all'evaporazione a fascio elettronico, il che influisce sulla velocità di deposizione.
Lo sputtering ha un tasso di deposizione inferiore, in particolare per i dielettrici.
Tuttavia, lo sputtering fornisce una migliore copertura del rivestimento per substrati più complessi ed è in grado di produrre film sottili di elevata purezza.
4. Controllo limitato dello spessore del film
La deposizione per sputtering permette di raggiungere velocità di deposizione elevate senza limitazioni di spessore, ma non consente un controllo accurato dello spessore del film.
La deposizione per evaporazione, invece, consente un migliore controllo dello spessore del film.
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