I principi dello sputtering RF prevedono l'uso di energia a radiofrequenza (RF) per creare un plasma in una camera a vuoto, che poi deposita un sottile film di materiale su un substrato. Questo metodo è particolarmente efficace per i materiali non conduttivi.
1. Configurazione della camera a vuoto:
Il processo inizia posizionando il materiale target (il materiale da depositare) e il substrato (il materiale su cui verrà depositato il materiale target) in una camera a vuoto. Questo ambiente è essenziale per prevenire la contaminazione e controllare le condizioni per una deposizione ottimale.2. Introduzione del gas inerte:
Nella camera vengono introdotti gas inerti come l'argon. Questi gas sono scelti perché non reagiscono chimicamente con i materiali presenti nella camera, garantendo l'integrità del processo di deposizione.
3. Ionizzazione degli atomi di gas:
Una sorgente di energia RF viene utilizzata per inviare onde energetiche attraverso il gas, ionizzando gli atomi del gas. Questo processo di ionizzazione conferisce agli atomi di gas una carica positiva, creando un plasma. Il plasma è un componente critico in quanto contiene gli ioni energetici necessari per il processo di sputtering.4. RF Magnetron Sputtering:
Nello sputtering magnetronico a radiofrequenza, si utilizzano potenti magneti per migliorare il processo di ionizzazione confinando gli elettroni vicino alla superficie del bersaglio, aumentando il tasso di ionizzazione del gas inerte. Questa configurazione consente di effettuare uno sputtering efficiente di materiali non conduttivi controllando l'accumulo di carica sulla superficie del bersaglio.
5. Deposizione di film sottili:
Gli atomi del gas ionizzato, ora allo stato di plasma, vengono accelerati verso il materiale bersaglio grazie al campo elettrico creato dalla sorgente RF. Quando questi ioni entrano in collisione con il materiale bersaglio, provocano l'espulsione di atomi o molecole (sputtered) e il loro deposito sul substrato.
6. Controllo dell'accumulo di carica:
