Il processo di crescita per deposizione chimica da vapore (CVD) è una tecnica utilizzata per depositare film sottili di materiali su un substrato attraverso una serie di reazioni chimiche in fase di vapore. Il processo prevede diverse fasi chiave: trasporto di specie gassose reagenti sulla superficie, adsorbimento di queste specie sulla superficie, reazioni eterogenee catalizzate dalla superficie, diffusione superficiale delle specie ai siti di crescita, nucleazione e crescita del film e desorbimento dei prodotti gassosi di reazione.
Trasporto di specie gassose in reazione sulla superficie:
Nel processo CVD, i materiali precursori, spesso sotto forma di gas o vapori, vengono introdotti in una camera di reazione dove vengono trasportati sulla superficie del substrato. Questo trasporto è facilitato dal flusso di gas all'interno della camera e dalle condizioni di vuoto che aiutano ad attirare i vapori dei precursori verso il substrato.Adsorbimento delle specie sulla superficie:
Una volta che i vapori del precursore raggiungono il substrato, si adsorbono sulla superficie. L'adsorbimento è il processo mediante il quale atomi o molecole di un gas, di un liquido o di un solido disciolto aderiscono a una superficie. Questa fase è cruciale perché avvia la formazione di un film fornendo i reagenti necessari direttamente sulla superficie del substrato.
Reazioni eterogenee catalizzate da superfici:
Le specie adsorbite subiscono reazioni chimiche sulla superficie del substrato. Queste reazioni sono tipicamente catalizzate dal materiale del substrato o da altre superfici all'interno della camera di reazione. Le reazioni portano alla formazione di nuove specie chimiche che fanno parte del film desiderato.Diffusione superficiale delle specie ai siti di crescita:
Le specie chimiche formate attraverso le reazioni superficiali si diffondono sulla superficie del substrato per raggiungere specifici siti di crescita. Questa diffusione è importante per la crescita uniforme del film sul substrato.
Nucleazione e crescita del film:
