CVD (Chemical Vapor Deposition) e ALD (Atomic Layer Deposition) sono tecniche di deposizione di film sottili utilizzate nella fabbricazione di dispositivi e rivestimenti a semiconduttore. La CVD prevede la reazione di precursori gassosi per produrre un film sottile, mentre l'ALD è un tipo di CVD di precisione che consente una risoluzione dello spessore dello strato atomico e un'eccellente uniformità.
CVD (Chemical Vapor Deposition):
La CVD è un processo in cui precursori gassosi reagiscono per formare un film sottile su un substrato. Si tratta di una tecnica versatile, in grado di depositare un'ampia gamma di materiali, tra cui metalli, semiconduttori e ceramiche. I precursori vengono introdotti in una camera di deposizione dove subiscono reazioni chimiche, depositando il materiale desiderato sul substrato. La CVD è spesso preferita per la sua capacità di depositare film spessi ad alte velocità di deposizione e per l'ampia gamma di precursori disponibili.ALD (Atomic Layer Deposition):
L'ALD, invece, è una variante più precisa della CVD. Utilizza un meccanismo di reazione autolimitante in cui gli strati atomici si formano in sequenza. Questo processo prevede l'uso di due materiali precursori che non sono mai presenti contemporaneamente nella camera di reazione. Vengono invece depositati in modo sequenziale, strato per strato. Questo metodo consente un controllo eccezionale sulla composizione, lo spessore e la conformità del film, rendendolo ideale per depositare film molto sottili (10-50 nm) e su strutture ad alto rapporto di aspetto. L'ALD è particolarmente nota per la sua capacità di creare strati privi di fori e per la sua eccellente uniformità su geometrie complesse e superfici curve.
Confronto e distinzione:
