Squadra tecnologica · Kintek Solution

Per preparare il carburo di silicio (SiC) in laboratorio si possono utilizzare diversi metodi, tra cui la deposizione chimica da vapore ad alta temperatura (HTCVD), la sinterizzazione e l'incollaggio per reazione. Ciascun metodo presenta condizioni e requisiti specifici, illustrati di seguito.

Deposizione di vapore chimico ad alta temperatura (HTCVD):

1. Questo metodo prevede la crescita di cristalli di SiC in un reattore chiuso in cui il riscaldamento esterno mantiene la camera di reazione a temperature comprese tra i 2000°C e i 2300°C. Il processo è una reazione superficiale che coinvolge la termodinamica, il trasporto di gas e la crescita del film. Le fasi comprendono:
2. Il gas di reazione misto raggiunge la superficie del materiale del substrato.
3. Decomposizione del gas di reazione ad alta temperatura, che porta a una reazione chimica sulla superficie del substrato per formare un film di cristalli solidi.

Distacco del prodotto solido dalla superficie del substrato, con introduzione continua del gas di reazione per consentire al film di cristalli di continuare a crescere.Sinterizzazione:

2. La sinterizzazione è un metodo comune per produrre ceramiche di carburo di silicio. Comporta il consolidamento della polvere di SiC sotto calore e pressione senza fondere l'intero corpo. Il processo può essere migliorato con l'aggiunta di coadiuvanti di sinterizzazione o utilizzando atmosfere specifiche. Le fasi principali sono:
3. Preparazione della polvere di SiC di elevata purezza.

Compattazione della polvere nella forma desiderata.Riscaldamento della polvere compattata in atmosfera controllata a una temperatura inferiore al suo punto di fusione, in genere tra i 2000 e i 2300°C, per ottenere la densificazione attraverso la diffusione atomica.

1. Legame per reazione:
3. Questo metodo prevede la reazione di una fusione di silicio con il carbonio per formare SiC. Il processo prevede:

Miscelazione di una fonte di carbonio con polvere di SiC per formare un corpo verde.

L'infiltrazione del corpo verde con silicio fuso ad alte temperature (oltre 1500°C).