La corrente degli ioni di sputtering in un processo di sputtering è determinata dalla tensione applicata e dal tipo di tecnica di sputtering utilizzata. Nello sputtering a diodi in corrente continua, viene applicata una tensione continua di 500-1000 V, che accende un plasma di argon a bassa pressione tra un bersaglio e un substrato. Gli ioni positivi di argon vengono quindi accelerati verso il bersaglio grazie a questa tensione, causando l'espulsione di atomi dal bersaglio e il loro deposito sul substrato.
Nello sputtering a radiofrequenza si utilizza una corrente alternata con frequenze intorno ai 14 MHz. Ciò consente di spruzzare materiali isolanti, poiché gli elettroni possono essere accelerati per oscillare con la RF, mentre gli ioni più pesanti reagiscono solo alla tensione media generata nel sistema RF. Gli ioni sono influenzati dalla tensione di auto-bias (VDC) che li accelera verso il bersaglio, che si avvicina alla tensione equivalente applicata durante lo sputtering in corrente continua.
La corrente degli ioni di sputtering è direttamente correlata alla tensione applicata e al tipo di tecnica di sputtering utilizzata. Nello sputtering a diodi in corrente continua, la corrente è determinata dalla tensione di 500-1000 V in corrente continua, mentre nello sputtering a radiofrequenza la corrente è determinata dalla tensione di auto-bias (VDC) che accelera gli ioni verso il bersaglio.
Provate la precisione e l'efficienza delle soluzioni di sputtering all'avanguardia di KINTEK SOLUTION. Le nostre tecnologie all'avanguardia, tra cui i sistemi di sputtering a diodi CC e RF, sono progettate per ottimizzare le correnti ioniche e ottenere processi di deposizione superiori. Scoprite la potenza delle applicazioni a tensione controllata e spingete la vostra ricerca a nuovi livelli con le nostre tecniche di sputtering avanzate. Elevate le capacità del vostro laboratorio oggi stesso con KINTEK SOLUTION - dove l'innovazione incontra la precisione.
